EN
Mô tả
Thuyền mang oxi hóa silic carbide cấp bán dẫn là sản phẩm gốm hiệu suất cao, chủ yếu được sử dụng trong các quá trình khuếch tán bán dẫn.
Thông số kỹ thuật
Bảng thông số kỹ thuật KCE® SiSiC/RBSiC
| Thông số kỹ thuật | Đơn vị | Giá trị |
| Hàm lượng Carbide Silic | % | 85 |
| Hàm lượng Silic tự do | % | 15 |
| Khối lượng riêng khối 20°C | g/cm³ | ≥3.02 |
| Độ xốp hở | Vol % | 0 |
| Độ cứng HK | kg/mm² | 2600 |
| Cường độ uốn 20°C | MPa | 250 |
| Cường độ uốn 1200°C | MPa | 280 |
| 20 – 1000°C (Hệ số giãn nở nhiệt) | 10–6 K–1 | 4.5 |
| Dẫn nhiệt 1000°C | W/m.k | 45 |
| Tĩnh 20°C (Mô-đun Đàn hồi) | GPa | 330 |
| Nhiệt độ làm việc | °C | 1300 |
| Nhiệt độ làm việc tối đa (trong không khí) | °C | 1380 |
Ứng dụng
Tàu thuyền đĩa silicon carbide (SiC) là bộ phận chịu nhiệt độ cao, được dùng trong ống lò để mang các đĩa wafer phục vụ xử lý ở nhiệt độ cao. Nhờ khả năng chịu nhiệt cao, chống ăn mòn hóa học và ổn định nhiệt tốt, vật liệu silicon carbide được sử dụng rộng rãi trong nhiều quá trình xử lý nhiệt như khuếch tán, oxy hóa, CVD, ủ nhiệt, v.v. Tàu thuyền đĩa silicon carbide cấp bán dẫn là sản phẩm gốm hiệu suất cao, chủ yếu dùng trong các quá trình khuếch tán bán dẫn và là công cụ không thể thiếu trong quy trình sản xuất bán dẫn.
Ưu điểm
So với các thuyền đựng wafer thạch anh truyền thống, thuyền tinh thể silicon carbide cấp bán dẫn có các đặc tính như chịu mài mòn, chống ăn mòn, chịu được tác động nhiệt độ cao, chịu được sự phá hủy bởi plasma, khả năng chịu tải ở nhiệt độ cao, dẫn nhiệt tốt, tản nhiệt hiệu quả, và sử dụng lâu dài mà không dễ bị cong vênh hay biến dạng. Trong điều kiện nhiệt độ cao, các thuyền wafer silicon carbide không dễ bị biến dạng hay gãy vỡ, đảm bảo tính ổn định và tỷ lệ sản phẩm đạt yêu cầu trong quá trình sản xuất wafer. Ngoài ra, tuổi thọ của thuyền wafer silicon carbide dài hơn, giảm tần suất thay thế và chi phí bảo trì, mang lại lợi ích kinh tế lớn hơn cho các doanh nghiệp bán dẫn.
