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Description
Le porte-substrat en carbure de silicium de qualité semi-conducteur est un produit céramique haute performance principalement utilisé dans les procédés de diffusion des semi-conducteurs.
CARACTÉRISTIQUES
Fiche technique KCE® SiSiC/RBSiC
| Paramètres techniques | Unité | Valeur |
| Teneur en carbure de silicium | % | 85 |
| Teneur en silicium libre | % | 15 |
| Masse volumique à 20°C | g/cm³ | ≥3.02 |
| Porosité ouverte | Vol % | 0 |
| Dureté HK | kg/mm² | 2600 |
| Résistance à la flexion 20°C | MPa | 250 |
| Résistance à la flexion 1200°C | MPa | 280 |
| 20 – 1000°C (Coefficient de dilatation thermique) | 10–6 K–1 | 4.5 |
| Conductivité thermique 1000°C | W/m.k | 45 |
| Statique 20°C (Module d'élasticité) | GPa | 330 |
| Température de fonctionnement | °C | 1300 |
| Temp. max. d'utilisation (air) | °C | 1380 |
Applications
Le bateau pour plaquettes en carbure de silicium (SiC) est un composant résistant aux hautes températures utilisé dans les tubes de fours pour charger des plaquettes destinées à un traitement à haute température. En raison de sa grande résistance thermique, de sa résistance à la corrosion chimique et de sa bonne stabilité thermique, les matériaux en carbure de silicium sont largement utilisés dans divers procédés de traitement thermique tels que la diffusion, l'oxydation, la CVD, le recuit, etc. Le bateau pour plaquettes en carbure de silicium de qualité semi-conducteur est un produit céramique haute performance principalement utilisé dans les procédés de diffusion des semi-conducteurs et constitue un outil indispensable dans le processus de fabrication des semi-conducteurs.
Avantages
Par rapport aux porte-plaquettes traditionnels en quartz, les porte-plaquettes en cristal de carbure de silicium de qualité semi-conducteur présentent des caractéristiques telles que la résistance à l'usure, la résistance à la corrosion, la résistance aux chocs thermiques, la résistance au bombardement par plasma, une forte capacité de charge à haute température, une excellente conductivité thermique, une dissipation thermique élevée, et une utilisation prolongée sans déformation ni flexion facile. Dans des conditions de haute température, les porte-plaquettes en carbure de silicium ne se déforment ni ne se brisent facilement, garantissant ainsi la stabilité et le rendement de la fabrication des plaquettes. De plus, la durée de vie des porte-plaquettes en carbure de silicium est plus longue, ce qui réduit la fréquence de remplacement et les coûts de maintenance, apportant ainsi des avantages économiques accrus aux entreprises semi-conductrices.
