Beschreibung
Bohrträger aus siliziumkarbid in Halbleiterqualität ist ein Hochleistungskeramikprodukt, das hauptsächlich in Halbleiter-Diffusionsprozessen verwendet wird.
TECHNISCHE DATEN
KCE® SiSiC/RBSiC Technisches Datenblatt
Technische Parameter | Einheit | Wert |
Siliziumkarbid-Gehalt | % | 85 |
Freier Silizium-Gehalt | % | 15 |
Rohdichte bei 20°C | g/cm³ | ≥3.02 |
Offene Porosität | Vol % | 0 |
Härte HK | kg/mm² | 2600 |
Biegefestigkeit 20°C | Mpa | 250 |
Biegefestigkeit 1200°C | Mpa | 280 |
20 – 1000°C (Wärmeausdehnungskoeffizient) | 10–6 K–1 | 4.5 |
Wärmeleitfähigkeit 1000°C | W/m.k | 45 |
Statisch 20°C (Elastizitätsmodul) | GPa | 330 |
Betriebstemperatur | °C | 1300 |
Max. Einsatztemperatur (Luft) | °C | 1380 |
Anwendungen
Ein Siliziumkarbid (SiC) Wafer-Boot ist ein hochtemperaturbeständiges Bauteil, das in Ofenrohren verwendet wird, um Wafer für Hochtemperaturbehandlungen zu laden. Aufgrund ihrer hohen Temperaturbeständigkeit, chemischen Korrosionsbeständigkeit und guten thermischen Stabilität werden Siliziumkarbid-Materialien in verschiedenen Wärmebehandlungsprozessen wie Diffusion, Oxidation, CVD, Glühen usw. breit eingesetzt. Ein halbleitertaugliches Siliziumkarbid-Wafer-Boot ist ein Hochleistungskeramikprodukt, das hauptsächlich in Halbleiter-Diffusionsprozessen eingesetzt wird und im Halbleiterfertigungsprozess unverzichtbar ist.
Vorteile
Im Vergleich zu herkömmlichen Quarzwaferbooten weisen Siliziumkarbid-Kristallboote in Halbleiterqualität die Eigenschaften Verschleißfestigkeit, Korrosionsbeständigkeit, Beständigkeit gegen hohe Temperaturen und thermische Schocks, Widerstandsfähigkeit gegen Plasmabeschießung, hohe Temperaturbelastbarkeit, hohe Wärmeleitfähigkeit, gute Wärmeabfuhr sowie eine lange Nutzungsdauer ohne leichte Verbiegung oder Verformung auf. Unter Hochtemperaturbedingungen verformen sich Siliziumkarbid-Waferboote kaum und brechen nicht leicht, wodurch die Stabilität und Ausbeute bei der Waferfertigung gewährleistet bleibt. Zudem ist die Lebensdauer von Siliziumkarbid-Waferbooten länger, was die Austauschhäufigkeit und die Wartungskosten senkt und Halbleiterunternehmen größere wirtschaftliche Vorteile bringt.