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製品

半導体用炭化ケイ素(SiC)製ウエハボート

説明

半導体グレードの炭化ケイ素ウエハーボートは、主に半導体拡散プロセスで使用される高性能セラミック製品です。

仕様

KCE® SiSiC/RBSiC 技術データシート

技術仕様 ユニット 価値
炭化ケイ素含有量 % 85
遊離ケイ素含有量 % 15
体積密度 20°C g/cm3 ≥3.02
開気孔率 体積% 0
硬度 HK kg/mm² 2600
曲げ強度 20°C Mpa 250
曲げ強度 1200°C Mpa 280
20 – 1000°C(熱膨張係数) 10–6 K–1 4.5
熱伝導率 1000°C W/m・k 45
静的20°C(弾性率) 平均 330
動作温度 °C 1300
最高使用温度(空気中) °C 1380
応用

炭化ケイ素(SiC)ウエハボートは、高温処理のためのウエハを炉管内に保持するために使用される耐熱性部品です。高い耐熱性、化学的腐食抵抗性および優れた熱安定性を持つため、炭化ケイ素材料は拡散、酸化、CVD、アニールなどさまざまな熱処理工程で広く使用されています。半導体グレードの炭化ケイ素ウエハボートは高性能セラミック製品であり、主に半導体拡散プロセスで使用され、半導体製造プロセスにおいて欠かせないツールです。

利点

従来の石英ウエハボートと比較して、半導体グレードの炭化ケイ素結晶ボートは、耐摩耗性、耐腐食性、耐高温衝撃性、プラズマ照射に対する耐性、高温耐荷重性、高熱伝導性、高放熱性に優れており、長期使用しても容易に曲がったり変形したりしません。高温条件下でも、炭化ケイ素ウエハボートは変形や破損が生じにくく、ウエハ製造の安定性と歩留まりを確保します。さらに、炭化ケイ素ウエハボートの使用寿命が長く、交換頻度やメンテナンスコストを低減できることから、半導体企業にとってより大きな経済的メリットをもたらします。

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