Açıklama
Yarı iletken sınıfı silisyum karbür wafer teknesi, yarı iletken difüzyon süreçlerinde principalmente kullanılan yüksek performanslı bir seramik üründür.
Özellikler
KCE® SiSiC/RBSiC Teknik Veri Sayfası
Teknik Parametreler | Birim | Değer |
Silisyum Karbür içeriği | % | 85 |
Serbest Silisyum içeriği | % | 15 |
Yığın yoğunluğu 20°C | g/cm³ | ≥3.02 |
Açık Gözeneklilik | Hacim % | 0 |
Sertlik HK | kg/mm² | 2600 |
Eğilme Dayanımı 20°C | Mpa | 250 |
Eğilme Dayanımı 1200°C | Mpa | 280 |
20 – 1000°C (Isıl Genleşme Katsayısı) | 10–6 K–1 | 4.5 |
Isıl İletkenlik 1000°C | W/m.k | 45 |
Statik 20°C (Elastisite Modülü) | Not ortalaması | 330 |
Çalışma Sıcaklığı | °C | 1300 |
Maks. Kullanım Sıcaklığı (hava) | °C | 1380 |
Uygulamalar
Silisyum karbür (SiC) wafer teknesi, yüksek sıcaklık işlemi için fırın tüplerine wafer yüklemede kullanılan yüksek sıcaklığa dayanıklı bir bileşendir. Yüksek sıcaklık direnci, kimyasal korozyon direnci ve iyi termal stabilitesi nedeniyle silisyum karbür malzemeleri difüzyon, oksidasyon CVD, tavlama vb. çeşitli ısı işlem süreçlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. Yarı iletken sınıfı silisyum karbür wafer teknesi, yarı iletken difüzyon süreçlerinde esas olarak kullanılan yüksek performanslı bir seramik üründür ve yarı iletken üretim sürecinde vazgeçilmez bir araçtır.
Avantajlar
Geleneksel kuvarz wafer tekneleriyle karşılaştırıldığında yarı iletken sınıfı silisyum karbür kristal teknelere aşınmaya dayanıklılık, korozyona direnç, yüksek sıcaklık şokuna direnç, plazmaya bombardımanına direnç, yüksek sıcaklık taşıma kapasitesi, yüksek termal iletkenlik, yüksek ısı dağılımı ve uzun süreli kullanımda kolayca bükülme veya deformasyon olmama özellikleri kazandırılmıştır. Yüksek sıcaklık koşullarında silisyum karbür wafer tekneleri kolayca deforme olmaz veya kırılmaz ve bu da wafer üretiminde stabiliteyi ve verimi sağlar. Ayrıca silisyum karbür wafer teknelarinin hizmet ömrü daha uzundur ve değişim sıklığını ile bakım maliyetlerini azaltarak yarı iletken işletmelerine daha büyük ekonomik faydalar sağlar.