EN
Описание
Лодочка из полупроводникового карбида кремния — это высокопрочный керамический продукт, который в основном используется в процессах диффузии полупроводников.
Характеристики
Технический паспорт KCE® SiSiC/RBSiC
| Технические параметры | Единица | Значение |
| Содержание карбида кремния | % | 85 |
| Свободное содержание кремния | % | 15 |
| Объемная плотность при 20°C | г/см³ | ≥3.02 |
| Открытая пористость | Об. % | 0 |
| Твердость HK | кг/мм² | 2600 |
| Предел прочности при изгибе 20°C | МПа | 250 |
| Предел прочности при изгибе 1200°C | МПа | 280 |
| 20 – 1000°C (Коэффициент теплового расширения) | 10–6 K–1 | 4.5 |
| Теплопроводность 1000°C | Вт/м·К | 45 |
| Статический 20°C (модуль упругости) | ГПа | 330 |
| Рабочая температура | °C | 1300 |
| Макс. рабочая температура (воздух) | °C | 1380 |
Применения
Кремниевый карбид (SiC) - это компонент, устойчивый к высокой температуре, используемый в трубках печи для загрузки пластин для обработки при высокой температуре. Благодаря высокой температурной стойкости, устойчивости к химической коррозии и хорошей тепловой устойчивости, материалы карбида кремния широко используются в различных процессах тепловой обработки, таких как диффузия, окисление CVD, отжигание и т. Д. Кремниевый
Преимущества
По сравнению с традиционными кварцевыми лодочками для пластин карбид кремния в полупроводниковой степени обладает такими характеристиками, как износостойкость, коррозионная стойкость, устойчивость к тепловому удару при высоких температурах, устойчивость к бомбардировке плазмой, высокая несущая способность при высоких температурах, высокая теплопроводность, эффективный теплоотвод, а также длительное использование без склонности к изгибу и деформации. В условиях высоких температур лодочки из карбида кремния для пластин не подвержены легкой деформации или разрушению, что обеспечивает стабильность и выход годных изделий при производстве пластин. Кроме того, срок службы лодочек из карбида кремния для пластин более длительный, что снижает частоту замены и эксплуатационные расходы, принося полупроводниковым предприятиям значительные экономические выгоды.
