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Produtos

Pás em cantilever de carbeto de silício (SiC) para semicondutores

Descrição

Pás/palhetas em carbeto de silício sinterizado por reação KCE®, formadas por processo de fundição ou impressão 3D, sinterizadas por reação, depois jateadas com areia e usinadas com precisão conforme os requisitos do desenho para atender às exigências de uso. São componentes essenciais dos sistemas de carga de pastilhas semicondutoras, com principais especificações de 2378 mm, 2550 mm, 2660 mm, etc. São utilizadas no processo de revestimento (difusão) de pastilhas de silício policristalino ou monocristalino em fornos de difusão, desempenhando um papel no transporte e suporte das pastilhas de silício em ambientes de alta temperatura (1000-1300 ℃).

Especificações

Ficha técnica KCE® SiSiC/RBSiC

Parâmetros Técnicos Unidade Valor
Teor de Carbeto de Silício % 85
Teor de Silício Livre % 15
Densidade aparente a 20°C g/cm³ ≥3.02
Porosidade Aberta Vol % 0
Dureza HK kg/mm² 2600
Resistência à Flexão 20°C Mpa 250
Resistência à Flexão 1200°C Mpa 280
20 – 1000°C (Coeficiente de Expansão Térmica) 10–6 K–1 4.5
Condutividade Térmica 1000°C W/m.k 45
Estático 20°C (Módulo de Elasticidade) GPa 330
Temperatura de Trabalho °C 1300
Temp. Máx. de Serviço (ar) °C 1380
Aplicações

As pás/palhetas em carbeto de silício sinterizado por reação são componentes essenciais do sistema de carga de pastilhas semicondutoras.

Vantagens

As pás/hélices de carbeto de silício possuem desempenho estável, não se deformam em ambientes de alta temperatura, têm grande capacidade de carga de wafer, são resistentes a resfriamento e aquecimento rápidos, apresentam pequeno coeficiente de expansão térmica e possuem longa vida útil.
A temperatura máxima de operação pode atingir 1380 ℃; Baixa expansão térmica; Estabilidade extremamente forte contra choque térmico; O coeficiente de expansão térmica da hélice em balanço é semelhante ao do revestimento LPCVD, e sua aplicação no LPCVD amplia significativamente o ciclo de manutenção e limpeza e reduz consideravelmente os poluentes.

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