EN
Deskripsi
KCE® Reaction sintered silicon carbide cantilever paddles/propellers, dibentuk melalui proses pengecoran atau pencetakan 3D, direaksi sintering, kemudian disemprot pasir dan dikerjakan secara presisi sesuai persyaratan gambar untuk memenuhi kebutuhan penggunaan. Komponen ini merupakan bagian utama dari sistem pemuatan wafer semikonduktor, dengan spesifikasi utama 2378 mm, 2550 mm, 2660 mm, dll. Digunakan dalam proses pelapisan (difusi) wafer silikon polikristalin atau wafer silikon monokristalin di tungku difusi, serta berperan dalam membawa dan mengangkut wafer silikon dalam lingkungan suhu tinggi (1000–1300 ℃).
Spesifikasi
Lembar Data Teknis KCE® SiSiC/RBSiC
| Parameter Teknis | Unit | Nilai |
| Kandungan Karbida Silikon | % | 85 |
| Kandungan Silikon Bebas | % | 15 |
| Massa Jenis Curah 20°C | g/cm³ | ≥3.02 |
| Porositas Terbuka | Vol % | 0 |
| Kekerasan HK | kg/mm² | 2600 |
| Kekuatan Lentur 20°C | MPa | 250 |
| Kekuatan Lentur 1200°C | MPa | 280 |
| 20 – 1000°C (Koefisien Muai Termal) | 10–6 K–1 | 4.5 |
| Konduktivitas Termal 1000°C | W/m.k | 45 |
| Statis 20°C (Modulus Elastisitas) | GPa | 330 |
| Suhu Operasi | °C | 1300 |
| Suhu Kerja Maks (udara) | °C | 1380 |
Aplikasi
Reaction sintered silicon carbide cantilever paddles/propellers merupakan komponen utama dari sistem pemuatan wafer semikonduktor.
Keunggulan
Dayung/baling-baling kantilever silikon karbida memiliki kinerja yang stabil, tidak mudah berubah bentuk dalam lingkungan suhu tinggi, memiliki kapasitas muatan wafer yang besar, tahan terhadap pendinginan dan pemanasan cepat, koefisien ekspansi termal yang kecil, serta umur pakai yang panjang.
Suhu operasi maksimum dapat mencapai 1380 ℃; Ekspansi termal rendah; Stabilitas terhadap kejut termal sangat kuat; Koefisien ekspansi termal baling-baling kantilever dan pelapisan LPCVD hampir sama, sehingga penerapannya dalam LPCVD secara signifikan memperpanjang siklus perawatan dan pembersihan serta mengurangi polutan dengan nyata.
