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Produkte

Siliziumkarbid (SiC) Hebelträger / Propeller für Halbleiter

Beschreibung

KCE® Reaktionssintertes Siliciumkarbid-Kragarm-Paddel/Propeller, hergestellt durch Gieß- oder 3D-Druckverfahren, reaktionssintert, anschließend sandgestrahlt und gemäß den Zeichnungsvorgaben präzisionsbearbeitet, um die Einsatzanforderungen zu erfüllen. Sie sind Schlüsselkomponenten von Halbleiter-Wafer-Ladesystemen mit Hauptabmessungen von 2378 mm, 2550 mm, 2660 mm usw. Sie werden im (Diffusions-)Beschichtungsprozess von polykristallinen oder monokristallinen Siliciumwafern in Diffusionsöfen eingesetzt und übernehmen die Funktion des Tragens und Transports von Siliciumwafern in Hochtemperaturumgebungen (1000–1300 °C).

TECHNISCHE DATEN

KCE® SiSiC/RBSiC Technisches Datenblatt

Technische Parameter Einheit Wert
Siliziumkarbid-Gehalt % 85
Freier Silizium-Gehalt % 15
Rohdichte bei 20°C g/cm³ ≥3.02
Offene Porosität Vol % 0
Härte HK kg/mm² 2600
Biegefestigkeit 20°C Mpa 250
Biegefestigkeit 1200°C Mpa 280
20 – 1000°C (Wärmeausdehnungskoeffizient) 10–6 K–1 4.5
Wärmeleitfähigkeit 1000°C W/m.k 45
Statisch 20°C (Elastizitätsmodul) GPa 330
Betriebstemperatur °C 1300
Max. Einsatztemperatur (Luft) °C 1380
Anwendungen

Reaktionssinterte Siliciumkarbid-Kragarm-Paddel/Propeller sind die Schlüsselkomponenten eines Halbleiter-Wafer-Ladesystems.

Vorteile

Siliziumkarbid-Auslegerpaddel/Propeller weisen eine stabile Leistung auf, verformen sich nicht in Hochtemperaturumgebungen, haben eine hohe Wafer-Ladekapazität, sind beständig gegen schnelle Abkühlung und Erwärmung, weisen einen geringen Wärmeausdehnungskoeffizienten auf und haben eine lange Lebensdauer.
Die maximale Betriebstemperatur kann 1380 ℃ erreichen; Geringe Wärmeausdehnung; äußerst starke Beständigkeit gegen thermische Schocks; Der Wärmeausdehnungskoeffizient von Auslegerpropeller und LPCVD-Beschichtung ist ähnlich, und ihre Anwendung in LPCVD verlängert den Wartungs- und Reinigungszyklus erheblich und reduziert Schadstoffe deutlich.

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