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실리콘 카바이드(SiC) 캔틸레버 패들/프로펠러

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제품

반도체용 실리콘 카바이드(SiC) 캔틸레버 패들/프로펠러

설명

KCE® 반응 소결 실리콘 카바이드 캔틸레버 패들/프로펠러는 주조 또는 3D 프린팅 공정을 통해 성형되고, 반응 소결된 후 도면 요구사항에 따라 샌드블라스팅 및 정밀 가공하여 사용 조건을 충족시킵니다. 이 제품은 반도체 웨이퍼 로딩 시스템의 핵심 구성 요소이며, 주요 사양은 2378mm, 2550mm, 2660mm 등입니다. 다결정 실리콘 웨이퍼 또는 단결정 실리콘 웨이퍼의 확산로 내 (확산) 코팅 공정에 사용되며, 고온 환경(1000-1300℃)에서 실리콘 웨이퍼를 지지하고 운반하는 역할을 합니다.

제품 사양

KCE® SiSiC/RBSiC 기술 데이터 시트

기술 파라미터 UNIT
탄화규소 함량 % 85
자유 규소 함량 % 15
20°C 체적 밀도 g/cm³ ≥3.02
개기공률 부피 % 0
경도 HK kg/mm² 2600
휨강도 20°C Mpa 250
휨강도 1200°C Mpa 280
20 – 1000°C (열팽창 계수) 10–6 K–1 4.5
열전도도 1000°C W/m.k 45
정적 20°C (탄성 계수) GPa 330
작동 온도 °C 1300
최대 사용 온도(공기 중) °C 1380
응용 분야

반응 소결 실리콘 카바이드 캔틸레버 패들/프로펠러는 반도체 웨이퍼 로딩 시스템의 핵심 구성 요소입니다.

장점

실리콘 카바이드 캔틸레버 패들/프로펠러는 성능이 안정적이며 고온 환경에서 변형되지 않고 웨이퍼 적재 용량이 크며 급속 냉각 및 가열에 강하며 열팽창 계수가 작고 수명이 깁니다.
최대 작동 온도는 1380℃에 도달할 수 있으며, 열팽창이 낮고, 열충격 안정성이 매우 뛰어납니다. 캔틸레버 프로펠러와 LPCVD 코팅의 열팽창 계수가 유사하여 LPCVD 응용 시 유지보수 및 청소 주기를 크게 연장시키고 오염물질을 현저히 줄입니다.

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