EN
Транспортировочные подложки/лотки из карбида кремния (SiC) для обработки светодиодных пластин
Описание
Подложки и лотки из карбида кремния формируются и спекаются при высоких температурах с помощью таких процессов, как холодное изостатическое прессование, литье или 3D-печать. Также возможно выполнение прецизионной механической обработки по внешнему диаметру, толщине, количеству и размеру отверстий, положению и форме режущей канавки в соответствии с чертежами заказчика для удовлетворения их специфических требований к использованию.
В процессах производства полупроводников кассеты для пластин являются основными расходуемыми материалами в условиях высоких температур и сильной коррозии, а их характеристики напрямую влияют на выход годных изделий и себестоимость. В последние годы керамические кассеты/лотки из карбида кремния (SiC) постепенно заменили традиционные графитовые кассеты благодаря своим уникальным свойствам материала и стали ключевым вспомогательным материалом при производстве светодиодов высокой яркости, композитных полупроводников и силовых устройств.
Лоток-носитель SiC — это прецизионный конструкционный элемент, основным материалом которого является керамика из карбида кремния. Благодаря превосходным характеристикам керамики из карбида кремния он играет ключевую роль в транспортировке, позиционировании, передаче тепла и защите в таких передовых отраслях производства, как полупроводники, фотоэлектрика и получение новых материалов. Это один из основных компонентов, обеспечивающих стабильность технологического процесса и выход готовой продукции.
Характеристики
Технический паспорт KCE® SiSiC/RBSiC/SSiC
| Технические параметры | Единица | Значение SiSiC/RBSiC | Значение SSiC |
| Содержание карбида кремния | % | 85 | 99 |
| Свободное содержание кремния | % | 15 | 0 |
| Объемная плотность при 20°C | г/см³ | ≥3.02 | ≥3.10 |
| Открытая пористость | Об. % | 0 | 0 |
| Твердость HK | кг/мм² | 2600 | 2800 |
| Предел прочности при изгибе 20°C | МПа | 250 | 380 |
| Предел прочности при изгибе 1200°C | МПа | 280 | 400 |
| 20 – 1000°C (Коэффициент теплового расширения) | 10–6 K–1 | 4.5 | 4.1 |
| Теплопроводность 1000°C | Вт/м·К | 45 | 74 |
| Статический 20°C (модуль упругости) | ГПа | 330 | 420 |
| Рабочая температура | °C | 1300 | 1600 |
| Макс. рабочая температура (воздух) | °C | 1380 | 1680 |
Применения
Особенно подходит для прецизионных керамических конструкционных элементов, используемых в процессах травления ICP, процессах PVD, процессах RTP и несущих элементах CMP при производстве эпитаксиальных пластин оптоэлектронного освещения.
Преимущества
Отличные механические свойства: такие как высокая прочность, высокая твердость и высокий модуль упругости;
Устойчивость к воздействию плазмы;
Хорошая теплопроводность, продукт обладает отличной равномерностью температуры;
Хорошая термостойкость, способен к быстрому повышению и снижению температуры.
