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Descrição
Os portadores/bandejas de carbeto de silício são formados e sinterizados em altas temperaturas por meio de processos como prensagem isostática a frio, moldagem ou impressão 3D. Também é possível realizar usinagem de precisão no diâmetro externo, dimensões de espessura, número e tamanho dos pontos de acupuntura, posição e forma do sulco de corte, de acordo com os desenhos técnicos do usuário, para atender às suas necessidades específicas de uso.
Nos processos de fabricação de semicondutores, os porta-wafers são consumíveis essenciais em ambientes de alta temperatura e altamente corrosivos, e seu desempenho afeta diretamente o rendimento e o custo do processo. Nos últimos anos, os porta-wafers/bandejas de cerâmica de carbeto de silício (SiC) substituíram gradualmente os porta-wafers baseados em grafite devido às suas propriedades materiais únicas, tornando-se um material de suporte fundamental para a fabricação de LEDs de alta luminosidade, semicondutores compostos e dispositivos de potência.
A Bandeja Porta-Suporte de SiC é um componente estrutural de precisão feito de cerâmica de carbeto de silício como material principal. Com o excelente desempenho das cerâmicas de carbeto de silício, desempenha um papel fundamental no transporte, posicionamento, transferência de calor e proteção em áreas de fabricação de alto nível, como semicondutores, fotovoltaicos e preparação de novos materiais, sendo um dos componentes essenciais para garantir a estabilidade do processo e o rendimento do produto.
Especificações
Ficha Técnica KCE® SiSiC/RBSiC/SSiC
| Parâmetros Técnicos | Unidade | Valor SiSiC/RBSiC | Valor SSiC |
| Teor de Carbeto de Silício | % | 85 | 99 |
| Teor de Silício Livre | % | 15 | 0 |
| Densidade aparente a 20°C | g/cm³ | ≥3.02 | ≥3.10 |
| Porosidade Aberta | Vol % | 0 | 0 |
| Dureza HK | kg/mm² | 2600 | 2800 |
| Resistência à Flexão 20°C | Mpa | 250 | 380 |
| Resistência à Flexão 1200°C | Mpa | 280 | 400 |
| 20 – 1000°C (Coeficiente de Expansão Térmica) | 10–6 K–1 | 4.5 | 4.1 |
| Condutividade Térmica 1000°C | W/m.k | 45 | 74 |
| Estático 20°C (Módulo de Elasticidade) | GPa | 330 | 420 |
| Temperatura de Trabalho | °C | 1300 | 1600 |
| Temp. Máx. de Serviço (ar) | °C | 1380 | 1680 |
Aplicações
Particularmente adequado para componentes estruturais cerâmicos de precisão utilizados em processos de gravação ICP, processos PVD, processos RTP e portadores de processos CMP na fabricação de substratos epitaxiais para iluminação optoeletrônica.
Vantagens
Excelentes propriedades mecânicas: como alta resistência, alta dureza e alto módulo de elasticidade;
Resistência ao impacto de plasma;
Boa condutividade térmica, o produto apresenta excelente uniformidade de temperatura;
Boa resistência ao choque térmico, capaz de aumentar e diminuir rapidamente a temperatura.
