EN
Beschreibung
Siliziumkarbid-Träger/Trays werden durch Verfahren wie isostatisches Kaltverpressen, Gießen oder 3D-Druck geformt und bei hohen Temperaturen gesintert. Es ist auch möglich, nach den Konstruktionszeichnungen des Anwenders eine Präzisionsbearbeitung von Außendurchmesser, Dickenmaßen, Anzahl und Größe der Stiftpunkte sowie Lage und Form der Trennnut vorzunehmen, um spezifische Anforderungen im Einsatz zu erfüllen.
In den Halbleiterfertigungsprozessen sind Waferträger die zentralen Verbrauchsmaterialien in Hochtemperatur- und stark korrosiven Umgebungen, und ihre Leistung beeinflusst direkte die Prozessausbeute und die Kosten. In den letzten Jahren haben Siliciumcarbid-(SiC-)Keramikträger/Behälter aufgrund ihrer einzigartigen Materialeigenschaften traditionelle, auf Graphit basierende Träger schrittweise ersetzt und sind zu einem Schlüsselwerkstoff für die Herstellung von Hochleistungs-LEDs, Verbindungshalbleitern und Leistungselektronikbauelementen geworden.
SiC-Trägerplatte ist ein präziser Strukturbauteil, dessen Kernmaterial aus Siliciumcarbid-Keramik besteht. Aufgrund der hervorragenden Eigenschaften von Siliciumcarbid-Keramik spielt es eine entscheidende Rolle beim Tragen, Positionieren, Wärmeübertragen und Schützen in hochwertigen Fertigungsbereichen wie Halbleitertechnik, Photovoltaik und Neumaterialherstellung. Es ist eines der Kernkomponenten, um die Prozessstabilität und Produktausbeute sicherzustellen.
TECHNISCHE DATEN
KCE® SiSiC/RBSiC/SSiC Technisches Datenblatt
| Technische Parameter | Einheit | SiSiC/RBSiC Wert | SSiC Wert |
| Siliziumkarbid-Gehalt | % | 85 | 99 |
| Freier Silizium-Gehalt | % | 15 | 0 |
| Rohdichte bei 20°C | g/cm³ | ≥3.02 | ≥3.10 |
| Offene Porosität | Vol % | 0 | 0 |
| Härte HK | kg/mm² | 2600 | 2800 |
| Biegefestigkeit 20°C | Mpa | 250 | 380 |
| Biegefestigkeit 1200°C | Mpa | 280 | 400 |
| 20 – 1000°C (Wärmeausdehnungskoeffizient) | 10–6 K–1 | 4.5 | 4.1 |
| Wärmeleitfähigkeit 1000°C | W/m.k | 45 | 74 |
| Statisch 20°C (Elastizitätsmodul) | GPa | 330 | 420 |
| Betriebstemperatur | °C | 1300 | 1600 |
| Max. Einsatztemperatur (Luft) | °C | 1380 | 1680 |
Anwendungen
Besonders geeignet für präzise keramische Strukturbauteile, die in ICP-Ätzverfahren, PVD-Verfahren, RTP-Verfahren und CMP-Prozess-Trägern bei der Herstellung von optoelektronischen Leucht-Epitaxiewafern verwendet werden.
Vorteile
Hervorragende mechanische Eigenschaften: wie hohe Festigkeit, hohe Härte und hoher Elastizitätsmodul;
Beständigkeit gegen Plasmaeinwirkung;
Gute Wärmeleitfähigkeit, das Produkt weist eine hervorragende Temperaturgleichmäßigkeit auf;
Gute Beständigkeit gegen thermische Schocks, fähig zu schnellem Temperaturanstieg und -abfall.
