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Porteurs/plateaux en carbure de silicium (SiC) pour le traitement des plaquettes LED
Description
Les porteurs/plateaux en carbure de silicium sont formés et frittés à haute température par des procédés tels que la pression isostatique à froid, le moulage ou l'impression 3D. Il est également possible d'effectuer un usinage de précision sur le diamètre extérieur, les dimensions d'épaisseur, le nombre et la taille des points d'acupuncture, ainsi que la position et la forme de la rainure de découpe, conformément aux plans de conception fournis par l'utilisateur, afin de répondre à ses besoins spécifiques d'utilisation.
Dans les procédés de fabrication des semiconducteurs, les porte-plaquettes sont des consommables essentiels dans des environnements à haute température et fortement corrosifs, et leurs performances influencent directement le rendement du procédé et les coûts. Ces dernières années, les porte-plaquettes/plateaux en céramique de carbure de silicium (SiC) ont progressivement remplacé les porte-plaquettes traditionnels à base de graphite grâce à leurs propriétés matérielles uniques, devenant ainsi un matériau de support clé pour la fabrication de LED haute luminosité, de semiconducteurs composés et de dispositifs de puissance.
Le plateau porteur en SiC est un composant structurel de précision fabriqué à partir de céramique en carbure de silicium comme matériau principal. Grâce aux excellentes performances des céramiques en carbure de silicium, il joue un rôle fondamental dans le transport, le positionnement, le transfert thermique et la protection dans des domaines de fabrication haut de gamme tels que les semiconducteurs, le photovoltaïque et la préparation de nouveaux matériaux. Il constitue l'un des composants essentiels garantissant la stabilité du procédé et le rendement des produits.
CARACTÉRISTIQUES
Fiche technique KCE® SiSiC/RBSiC/SSiC
| Paramètres techniques | Unité | Valeur SiSiC/RBSiC | Valeur SSiC |
| Teneur en carbure de silicium | % | 85 | 99 |
| Teneur en silicium libre | % | 15 | 0 |
| Masse volumique à 20°C | g/cm³ | ≥3.02 | ≥3.10 |
| Porosité ouverte | Vol % | 0 | 0 |
| Dureté HK | kg/mm² | 2600 | 2800 |
| Résistance à la flexion 20°C | MPa | 250 | 380 |
| Résistance à la flexion 1200°C | MPa | 280 | 400 |
| 20 – 1000°C (Coefficient de dilatation thermique) | 10–6 K–1 | 4.5 | 4.1 |
| Conductivité thermique 1000°C | W/m.k | 45 | 74 |
| Statique 20°C (Module d'élasticité) | GPa | 330 | 420 |
| Température de fonctionnement | °C | 1300 | 1600 |
| Temp. max. d'utilisation (air) | °C | 1380 | 1680 |
Applications
Particulièrement adapté aux composants structurels céramiques de précision utilisés dans les processus de gravure ICP, les procédés PVD, les procédés RTP et les porteuses de processus CMP dans la fabrication de wafers épitaxiaux pour l'éclairage optoélectronique.
Avantages
Excellentes propriétés mécaniques : telles que haute résistance, grande dureté et module d'élasticité élevé ;
Résistance à l'impact du plasma ;
Bonne conductivité thermique, le produit présente une excellente uniformité de température ;
Bonne résistance au choc thermique, capable d'une montée et d'une chute rapide de température.
