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Portatori/vaschette in carburo di silicio (SiC) per la lavorazione di wafer LED
Descrizione
I portatori/tray in carburo di silicio vengono formati e sinterizzati ad alte temperature attraverso processi come la pressatura isostatica a freddo, la colata o la stampa 3D. È inoltre possibile eseguire lavorazioni di precisione su diametro esterno, spessore, numero e dimensioni degli acupunti, posizione e forma della fessura di taglio secondo i disegni progettuali dell'utente per soddisfare le loro specifiche esigenze d'uso.
Nei processi di produzione dei semiconduttori, i portawafers sono consumabili fondamentali in ambienti ad alta temperatura e fortemente corrosivi, e le loro prestazioni influiscono direttamente sul rendimento del processo e sui costi. Negli ultimi anni, i portatori/vassoi in ceramica di carburo di silicio (SiC) hanno gradualmente sostituito i tradizionali portatori a base di grafite grazie alle loro proprietà materiali uniche, diventando un materiale di supporto chiave per la produzione di LED ad alta luminosità, semiconduttori composti e dispositivi di potenza.
Il vassoio portatore in SiC è un componente strutturale di precisione realizzato in ceramica di carburo di silicio. Grazie alle eccellenti prestazioni della ceramica al carburo di silicio, svolge un ruolo fondamentale nel trasporto, posizionamento, scambio termico e protezione nei settori avanzati della produzione come semiconduttori, fotovoltaico e preparazione di nuovi materiali. È uno dei componenti principali per garantire stabilità del processo e resa produttiva.
Specifiche
Scheda dati tecnici KCE® SiSiC/RBSiC/SSiC
| Parametri tecnici | Unità | Valore SiSiC/RBSiC | Valore SSiC |
| Contenuto di Carburo di Silicio | % | 85 | 99 |
| Contenuto di Silicio libero | % | 15 | 0 |
| Densità apparente a 20°C | g/cm3 | ≥3.02 | ≥3.10 |
| Porosità Aperta | Vol % | 0 | 0 |
| Durezza HK | kg/mm² | 2600 | 2800 |
| Resistenza alla flessione 20°C | Mpa | 250 | 380 |
| Resistenza alla flessione 1200°C | Mpa | 280 | 400 |
| 20 – 1000°C (Coefficiente di dilatazione termica) | 10–6 K–1 | 4.5 | 4.1 |
| Conducibilità termica 1000°C | W/m·K | 45 | 74 |
| Statico 20°C (Modulo di Elasticità) | GPA | 330 | 420 |
| Temperatura di funzionamento | °C | 1300 | 1600 |
| Temp. max di utilizzo (aria) | °C | 1380 | 1680 |
Applicazioni
Particolarmente adatto per componenti strutturali in ceramica di precisione utilizzati nei processi di incisione ICP, nei processi PVD, nei processi RTP e nei portatori di processo CMP nella produzione di wafer epitassiali per illuminazione optoelettronica.
Vantaggi
Eccellenti proprietà meccaniche: come elevata resistenza, elevata durezza ed elevato modulo elastico;
Resistenza all'impatto del plasma;
Buona conducibilità termica, il prodotto presenta un'eccellente uniformità termica;
Buona resistenza al choque termico, in grado di aumentare e ridurre rapidamente la temperatura.
