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Portadores/bandejas de carburo de silicio (SiC) para procesamiento de obleas LED
Descripción
Los portadores/platos de carburo de silicio se forman y se sinterizan a altas temperaturas mediante procesos como prensado isostático en frío, moldeo o impresión 3D. También es posible realizar mecanizado de precisión en el diámetro exterior, dimensiones de espesor, número y tamaño de los puntos de sujeción, posición y forma de la ranura de corte según los planos de diseño del usuario para satisfacer sus requisitos específicos de uso.
En los procesos de fabricación de semiconductores, los portadores de obleas son consumibles esenciales en entornos de alta temperatura y altamente corrosivos, y su rendimiento afecta directamente al rendimiento del proceso y al costo. En los últimos años, los portadores/platos cerámicos de carburo de silicio (SiC) han reemplazado gradualmente a los portadores tradicionales basados en grafito debido a sus propiedades materiales únicas, convirtiéndose en un material de soporte clave para la fabricación de LEDs de alta luminosidad, semiconductores compuestos y dispositivos de potencia.
La bandeja portadora de SiC es un componente estructural de precisión fabricado con cerámica de carburo de silicio como material principal. Gracias al excelente rendimiento de las cerámicas de carburo de silicio, desempeña un papel fundamental en el transporte, posicionamiento, transferencia de calor y protección en campos de fabricación avanzada como semiconductores, fotovoltaica y preparación de nuevos materiales. Es uno de los componentes esenciales para garantizar la estabilidad del proceso y el rendimiento del producto.
Presupuesto
Hoja de datos técnicos KCE® SiSiC/RBSiC/SSiC
| Parámetros técnicos | Unidad | Valor SiSiC/RBSiC | Valor SSiC |
| Contenido de Carburo de Silicio | % | 85 | 99 |
| Contenido de Silicio libre | % | 15 | 0 |
| Densidad aparente a 20°C | g/cm³ | ≥3.02 | ≥3.10 |
| Porosidad Abierta | Vol % | 0 | 0 |
| Dureza HK | kg/mm² | 2600 | 2800 |
| Resistencia a la flexión 20°C | Mpa | 250 | 380 |
| Resistencia a la flexión 1200°C | Mpa | 280 | 400 |
| 20 – 1000°C (Coeficiente de dilatación térmica) | 10–6 K–1 | 4.5 | 4.1 |
| Conductividad térmica 1000°C | W/m.k | 45 | 74 |
| Estático 20°C (Módulo de Elasticidad) | GPa | 330 | 420 |
| Temperatura de trabajo | °C | 1300 | 1600 |
| Temp. máx. de servicio (en aire) | °C | 1380 | 1680 |
Aplicaciones
Particularmente adecuado para componentes estructurales cerámicos de precisión utilizados en procesos de grabado ICP, procesos PVD, procesos RTP y portadores de procesos CMP en la fabricación de obleas epitaxiales para iluminación optoelectrónica.
Ventajas
Excelentes propiedades mecánicas: como alta resistencia, alta dureza y alto módulo elástico;
Resistencia al impacto de plasma;
Buena conductividad térmica, el producto tiene una excelente uniformidad de temperatura;
Buena resistencia al choque térmico, capaz de aumentar y disminuir rápidamente la temperatura.
