EN
Трубки атмосферных печей из карбида кремния (SiC) для полупроводниковой промышленности
Описание
Реакционно-спеченные трубки атмосферных печей из карбида кремния KCE® для полупроводникового оборудования в основном делятся на два типа: горизонтальные и вертикальные.
Горизонтальная печная труба: в этом типе печной трубы пластина помещается на лодочку из карбида кремния, которая затем устанавливается на подающую лопатку из карбида кремния. Поддерживающая лопатка отвечает за загрузку кристаллической лодочки и пластины и их совместное продвижение внутрь печной трубы. В зоне постоянной температуры пластина подвергается необходимым химическим реакциям. После завершения реакции пластина также медленно извлекается, чтобы избежать деформации или растрескивания, вызванных перепадами температур внутри и снаружи печи. Конструкция горизонтальной печной трубы обеспечивает хорошую равномерность и стабильность пластины в процессе реакции.
Вертикальная печная труба: в отличие от горизонтальных печных труб, пластины в вертикальных печных трубах размещаются на карбид-кремниевой башне. Пластина поступает в печную трубу из карбида кремния для обработки по мере медленного подъёма башни. После завершения реакции пластину также необходимо медленно опустить, чтобы предотвратить изгиб или растрескивание, вызванные перепадами температур. Конструкция вертикальных печных труб выгодна с точки зрения экономии пространства и может обеспечивать лучшие результаты реакции в некоторых процессах
Характеристики
Технический паспорт KCE® SiSiC/RBSiC
| Технические параметры | Единица | Значение |
| Содержание карбида кремния | % | 85 |
| Свободное содержание кремния | % | 15 |
| Объемная плотность при 20°C | г/см³ | ≥3.02 |
| Открытая пористость | Об. % | 0 |
| Твердость HK | кг/мм² | 2600 |
| Предел прочности при изгибе 20°C | МПа | 250 |
| Предел прочности при изгибе 1200°C | МПа | 280 |
| 20 – 1000°C (Коэффициент теплового расширения) | 10–6 K–1 | 4.5 |
| Теплопроводность 1000°C | Вт/м·К | 45 |
| Статический 20°C (модуль упругости) | ГПа | 330 |
| Рабочая температура | °C | 1300 |
| Макс. рабочая температура (воздух) | °C | 1380 |
Применения
Труба печи из карбида кремния, спеченного методом реакционного спекания KCE®, для полупроводникового оборудования является одним из ключевых компонентов в процессе изготовления полупроводников. Печные трубы широко применяются в различных полупроводниковых процессах, включая диффузию, вгонку, окисление, осаждение, отжиг и спекание. Эти процессы имеют решающее значение для производительности и качества полупроводниковых пластин. Трубы печей из карбида кремния обычно используются в таком оборудовании, как диффузионные окислительные печи для полупроводников, LPCVD и печи для отжига.
Преимущества
Печные трубы из карбида кремния полупроводникового класса обладают высокой чистотой, устойчивостью к высоким температурам и хорошей долгосрочной стабильностью. Они имеют тонкую пленку из высокочистого материала карбида кремния, что предотвращает попадание примесей и снижает загрязнение окружающей среды в процессе производства. Такие трубы подходят для процессов, требующих высокой степени чистоты.
