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Descripción
Los tubos de horno de atmósfera de carburo de silicio sinterizados por reacción KCE® utilizados en equipos para semiconductores se dividen principalmente en dos tipos: horizontal y vertical.
Tubo de horno horizontal: En este tipo de tubo de horno, la oblea se coloca en un portador de obleas de carburo de silicio, que luego se sitúa sobre una paleta de transporte hecha de SiC. La paleta de transporte se encarga de cargar el portador de cristales y la oblea, e introducirlos juntos en el tubo del horno. En la zona de temperatura constante del tubo de horno, la oblea experimenta las reacciones químicas necesarias. Una vez completada la reacción, la oblea también se extrae lentamente para evitar deformaciones o grietas causadas por diferencias de temperatura entre el interior y el exterior del horno. El diseño del tubo de horno horizontal permite que la oblea mantenga una buena uniformidad y estabilidad durante el proceso de reacción.
Tubo de horno vertical: A diferencia de los tubos de horno horizontales, las obleas en los tubos de horno verticales se colocan sobre una torre de carburo de silicio. La oblea entra en el tubo de horno de carburo de silicio para su procesamiento a medida que la torre asciende lentamente. Una vez completada la reacción, la oblea también debe bajarse lentamente para evitar deformaciones o grietas causadas por diferencias de temperatura. El diseño de los tubos de horno vertical es beneficioso para ahorrar espacio y puede ofrecer mejores efectos de reacción en ciertos procesos
Presupuesto
Ficha técnica KCE® SiSiC/RBSiC
| Parámetros técnicos | Unidad | Valor |
| Contenido de Carburo de Silicio | % | 85 |
| Contenido de Silicio libre | % | 15 |
| Densidad aparente a 20°C | g/cm³ | ≥3.02 |
| Porosidad Abierta | Vol % | 0 |
| Dureza HK | kg/mm² | 2600 |
| Resistencia a la flexión 20°C | Mpa | 250 |
| Resistencia a la flexión 1200°C | Mpa | 280 |
| 20 – 1000°C (Coeficiente de dilatación térmica) | 10–6 K–1 | 4.5 |
| Conductividad térmica 1000°C | W/m.k | 45 |
| Estático 20°C (Módulo de Elasticidad) | GPa | 330 |
| Temperatura de trabajo | °C | 1300 |
| Temp. máx. de servicio (en aire) | °C | 1380 |
Aplicaciones
El tubo de horno de carburo de silicio sinterizado por reacción KCE® para equipos semiconductores es uno de los equipos clave en el proceso de fabricación de semiconductores. Los tubos de horno tienen una amplia gama de aplicaciones en procesos semiconductores, incluyendo difusión, inyección, oxidación, deposición, recocido y sinterización. Estos procesos son cruciales para el rendimiento y la calidad de las obleas semiconductoras. Los tubos de carburo de silicio suelen utilizarse en equipos como hornos de oxidación y difusión para semiconductores, LPCVD y hornos de recocido.
Ventajas
Los tubos de horno de carburo de silicio de grado semiconductor tienen alta pureza, resistencia a altas temperaturas y buena estabilidad a largo plazo. Poseen una capa delgada de material de carburo de silicio de alta pureza, lo que evita la introducción de impurezas y reduce la contaminación ambiental durante el proceso de preparación. Son adecuados para procesos que requieren alta limpieza.
