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Descrição
Os tubos de forno em carbeto de silício sinterizado por reação KCE® utilizados em equipamentos semicondutores são principalmente divididos em dois tipos: horizontal e vertical.
Tubo de forno horizontal: Neste tipo de tubo de forno, a pastilha é colocada em um barquinho de carbeto de silício, que é então posicionado em uma pás de transporte feita de SiC. A pás de transporte é responsável por carregar o barquinho de cristal e a pastilha, empurrando-os para dentro do tubo de forno como um conjunto. Na zona de temperatura constante do tubo de forno, a pastilha sofre as reações químicas necessárias. Após a conclusão da reação, a pastilha também é lentamente retirada para evitar deformações ou rachaduras causadas pelas diferenças de temperatura no interior e exterior do forno. O design do tubo de forno horizontal permite que a pastilha mantenha boa uniformidade e estabilidade durante o processo de reação.
Tubo de forno vertical: Diferentemente dos tubos de forno horizontais, as pastilhas em tubos de forno verticais são colocadas sobre uma torre de carbeto de silício. A pastilha entra no tubo de forno de carbeto de silício para processamento à medida que a torre sobe lentamente. Após a conclusão da reação, a pastilha também precisa ser lentamente abaixada para evitar deformações ou rachaduras causadas por diferenças de temperatura. O design de tubos de forno verticais é benéfico para economia de espaço e pode apresentar melhores efeitos de reação em certos processos
Especificações
Ficha técnica KCE® SiSiC/RBSiC
| Parâmetros Técnicos | Unidade | Valor |
| Teor de Carbeto de Silício | % | 85 |
| Teor de Silício Livre | % | 15 |
| Densidade aparente a 20°C | g/cm³ | ≥3.02 |
| Porosidade Aberta | Vol % | 0 |
| Dureza HK | kg/mm² | 2600 |
| Resistência à Flexão 20°C | Mpa | 250 |
| Resistência à Flexão 1200°C | Mpa | 280 |
| 20 – 1000°C (Coeficiente de Expansão Térmica) | 10–6 K–1 | 4.5 |
| Condutividade Térmica 1000°C | W/m.k | 45 |
| Estático 20°C (Módulo de Elasticidade) | GPa | 330 |
| Temperatura de Trabalho | °C | 1300 |
| Temp. Máx. de Serviço (ar) | °C | 1380 |
Aplicações
O tubo de forno de carboneto de silício sinterizado por reação KCE® para equipamentos semicondutores é um dos principais equipamentos no processo de fabricação de semicondutores. Os tubos de forno têm uma ampla gama de aplicações nos processos semicondutores, incluindo difusão, incorporação, oxidação, deposição, recozimento e sinterização. Esses processos são cruciais para o desempenho e a qualidade das pastilhas semicondutoras. Os tubos de forno de carboneto de silício são normalmente utilizados em equipamentos como fornos de oxidação e difusão semicondutores, LPCVD e fornos de recozimento.
Vantagens
Os tubos de forno de carboneto de silício de grau semicondutor possuem alta pureza, resistência a altas temperaturas e boa estabilidade a longo prazo. Eles possuem uma película fina de material de carboneto de silício de alta pureza, o que evita a introdução de impurezas e reduz a poluição ambiental durante o processo de preparação. São adequados para processos que exigem alta limpeza.
