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Beschreibung
KCE® Reaktionssinterte Siliziumkarbid-Atmosphärenofenrohre, die in Halbleiteranlagen verwendet werden, sind hauptsächlich in zwei Typen unterteilt: horizontal und vertikal.
Horizontales Ofenrohr: Bei dieser Art von Ofenrohr wird das Wafer auf einem Siliciumcarbid-Waferboot platziert, das anschließend auf einer Tragvorrichtung (Schaufel) aus SiC angebracht wird. Die Tragschaufel übernimmt das Beladen des Kristallboots und des Wafers und schiebt beide gemeinsam in das Ofenrohr hinein. In der konstanten Temperaturzone des Ofenrohrs findet das Wafer die erforderlichen chemischen Reaktionen statt. Nach Abschluss der Reaktion wird das Wafer langsam wieder herausgezogen, um Verbiegungen oder Risse aufgrund von Temperaturunterschieden innerhalb und außerhalb des Ofens zu vermeiden. Die Konstruktion des horizontalen Ofenrohrs ermöglicht es dem Wafer, während des Reaktionsprozesses eine gute Gleichmäßigkeit und Stabilität beizubehalten.
Vertikales Ofenrohr: Im Gegensatz zu horizontalen Ofenrohren werden Wafer in vertikalen Ofenrohren auf einem Siliziumkarbid-Turm platziert. Der Wafer gelangt zur Bearbeitung in das Siliziumkarbid-Ofenrohr, während der Turm langsam ansteigt. Nach Abschluss der Reaktion muss der Wafer ebenfalls langsam abgesenkt werden, um Verbiegungen oder Risse aufgrund von Temperaturunterschieden zu vermeiden. Die Konstruktion von vertikalen Ofenrohren ist platzsparend und kann bei bestimmten Prozessen bessere Reaktionsergebnisse liefern.
TECHNISCHE DATEN
KCE® SiSiC/RBSiC Technisches Datenblatt
| Technische Parameter | Einheit | Wert |
| Siliziumkarbid-Gehalt | % | 85 |
| Freier Silizium-Gehalt | % | 15 |
| Rohdichte bei 20°C | g/cm³ | ≥3.02 |
| Offene Porosität | Vol % | 0 |
| Härte HK | kg/mm² | 2600 |
| Biegefestigkeit 20°C | Mpa | 250 |
| Biegefestigkeit 1200°C | Mpa | 280 |
| 20 – 1000°C (Wärmeausdehnungskoeffizient) | 10–6 K–1 | 4.5 |
| Wärmeleitfähigkeit 1000°C | W/m.k | 45 |
| Statisch 20°C (Elastizitätsmodul) | GPa | 330 |
| Betriebstemperatur | °C | 1300 |
| Max. Einsatztemperatur (Luft) | °C | 1380 |
Anwendungen
KCE®-Reaktionssinterrohre aus Siliciumkarbid für Halbleiteranlagen sind eine der Schlüsselkomponenten im Halbleiterfertigungsprozess. Ofenrohre finden in Halbleiterprozessen vielfältige Anwendung, einschließlich Diffusion, Einlauf, Oxidation, Abscheidung, Tempern und Sintern. Diese Prozesse sind entscheidend für die Leistungsfähigkeit und Qualität von Halbleiterscheiben. Die Siliciumkarbid-Ofenrohre werden üblicherweise in Anlagen wie Halbleiter-Oxidationsdiffusionsöfen, LPCVD und Temperöfen eingesetzt.
Vorteile
Siliciumkarbid-Ofenrohre in Halbleiterqualität weisen eine hohe Reinheit, hohe Temperaturbeständigkeit und eine gute Langzeitstabilität auf. Sie verfügen über eine dünne Schicht aus hochreinem Siliciumkarbid-Material, wodurch die Einführung von Verunreinigungen vermieden und die Umweltbelastung während des Herstellungsprozesses reduziert wird. Sie eignen sich für Prozesse, bei denen eine hohe Sauberkeit erforderlich ist.
