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Descrizione
I tubi in carburo di silicio sinterizzati per reazione KCE® utilizzati nell'equipaggiamento per semiconduttori sono principalmente divisi in due tipi: orizzontali e verticali.
Tubo del forno orizzontale: in questo tipo di tubo del forno, la wafer viene posizionata su un portawafers in carburo di silicio, che a sua volta viene collocato su una paletta portante in SiC. La paletta portante ha il compito di caricare il portawafers e la wafer, spingendoli insieme all'interno del tubo del forno. Nella zona a temperatura costante del tubo del forno, la wafer subisce le reazioni chimiche richieste. Al termine della reazione, la wafer viene estratta lentamente per evitare deformazioni o crepe causate dalle differenze di temperatura tra l'interno e l'esterno del forno. La progettazione del tubo del forno orizzontale permette alla wafer di mantenere una buona uniformità e stabilità durante il processo reattivo.
Tubo del forno verticale: a differenza dei tubi del forno orizzontali, le wafer nei tubi del forno verticali sono posizionate su una torre in carburo di silicio. La wafer entra nel tubo del forno in carburo di silicio per la lavorazione mentre la torre sale lentamente. Una volta completata la reazione, la wafer deve anche essere abbassata lentamente per evitare deformazioni o crepe causate dalle differenze di temperatura. La progettazione dei tubi del forno verticali è vantaggiosa per il risparmio di spazio e può offrire effetti di reazione migliori in determinati processi
Specifiche
Scheda tecnica KCE® SiSiC/RBSiC
| Parametri tecnici | Unità | Valore |
| Contenuto di Carburo di Silicio | % | 85 |
| Contenuto di Silicio libero | % | 15 |
| Densità apparente a 20°C | g/cm3 | ≥3.02 |
| Porosità Aperta | Vol % | 0 |
| Durezza HK | kg/mm² | 2600 |
| Resistenza alla flessione 20°C | Mpa | 250 |
| Resistenza alla flessione 1200°C | Mpa | 280 |
| 20 – 1000°C (Coefficiente di dilatazione termica) | 10–6 K–1 | 4.5 |
| Conducibilità termica 1000°C | W/m·K | 45 |
| Statico 20°C (Modulo di Elasticità) | GPA | 330 |
| Temperatura di funzionamento | °C | 1300 |
| Temp. max di utilizzo (aria) | °C | 1380 |
Applicazioni
Il tubo per forno in carburo di silicio sinterizzato per reazione KCE® per apparecchiature semiconduttori è uno dei componenti chiave nel processo di produzione di semiconduttori. I tubi per forno hanno un'ampia gamma di applicazioni nei processi semiconduttori, inclusi diffusione, drive-in, ossidazione, deposizione, ricottura e sinterizzazione. Questi processi sono fondamentali per le prestazioni e la qualità delle wafer semiconduttrici. I tubi in carburo di silicio vengono generalmente utilizzati in apparecchiature come forni per ossidazione e diffusione di semiconduttori, LPCVD e forni per ricottura.
Vantaggi
I tubi per forno in carburo di silicio di grado semiconduttore presentano elevata purezza, resistenza alle alte temperature e buona stabilità a lungo termine. Sono dotati di un film sottile in materiale di carburo di silicio ad alta purezza, che evita l'introduzione di impurità e riduce l'inquinamento ambientale durante il processo di preparazione. Sono adatti a processi che richiedono un'elevata pulizia.
