EN
Deskripsi
Tabung tungku atmosfer silikon karbida hasil sintering reaksi KCE® yang digunakan dalam peralatan semikonduktor terutama terbagi menjadi dua jenis: horisontal dan vertikal.
Tabung tungku horizontal: Pada jenis tabung tungku ini, wafer ditempatkan pada perahu wafer silikon karbida, yang kemudian diletakkan di atas dayung pembawa yang terbuat dari SiC. Dayung pembawa bertanggung jawab memuat perahu kristal dan wafer, lalu mendorongnya masuk ke dalam tabung tungku secara keseluruhan. Di zona suhu konstan dalam tabung tungku, wafer mengalami reaksi kimia yang diperlukan. Setelah reaksi selesai, wafer juga ditarik keluar secara perlahan untuk menghindari lenturan atau retak akibat perbedaan suhu antara bagian dalam dan luar tungku. Desain tabung tungku horizontal memungkinkan wafer mempertahankan keseragaman dan stabilitas yang baik selama proses reaksi.
Tabung tungku vertikal: Berbeda dengan tabung tungku horizontal, wafer dalam tabung tungku vertikal ditempatkan di atas menara silikon karbida. Wafer masuk ke dalam tabung tungku silikon karbida untuk diproses saat menara perlahan naik. Setelah reaksi selesai, wafer juga harus diturunkan secara perlahan untuk mencegah lenturan atau retak akibat perbedaan suhu. Desain tabung tungku vertikal bermanfaat untuk menghemat ruang dan dapat memberikan efek reaksi yang lebih baik dalam proses tertentu
Spesifikasi
Lembar Data Teknis KCE® SiSiC/RBSiC
| Parameter Teknis | Unit | Nilai |
| Kandungan Karbida Silikon | % | 85 |
| Kandungan Silikon Bebas | % | 15 |
| Massa Jenis Curah 20°C | g/cm³ | ≥3.02 |
| Porositas Terbuka | Vol % | 0 |
| Kekerasan HK | kg/mm² | 2600 |
| Kekuatan Lentur 20°C | MPa | 250 |
| Kekuatan Lentur 1200°C | MPa | 280 |
| 20 – 1000°C (Koefisien Muai Termal) | 10–6 K–1 | 4.5 |
| Konduktivitas Termal 1000°C | W/m.k | 45 |
| Statis 20°C (Modulus Elastisitas) | GPa | 330 |
| Suhu Operasi | °C | 1300 |
| Suhu Kerja Maks (udara) | °C | 1380 |
Aplikasi
Tabung tungku silikon karbida hasil sintering reaksi KCE® untuk peralatan semikonduktor merupakan salah satu peralatan utama dalam proses manufaktur semikonduktor. Tabung tungku memiliki berbagai aplikasi dalam proses semikonduktor, termasuk difusi, drive-in, oksidasi, deposisi, annealing, dan sintering. Proses-proses ini sangat penting bagi kinerja dan kualitas wafer semikonduktor. Tabung tungku silikon karbida biasanya digunakan dalam peralatan seperti tungku oksidasi-difusi semikonduktor, LPCVD, dan tungku annealing.
Keunggulan
Tabung tungku silikon karbida kelas semikonduktor memiliki tingkat kemurnian tinggi, tahan terhadap suhu tinggi, serta stabilitas jangka panjang yang baik. Tabung ini dilapisi lapisan tipis material silikon karbida berkemurnian tinggi, yang mencegah terbentuknya kontaminasi dan mengurangi pencemaran lingkungan selama proses produksi. Tabung ini cocok digunakan pada proses yang membutuhkan tingkat kebersihan tinggi.
