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Description
Les tubes en carbure de silicium frittés par réaction KCE® utilisés dans les équipements pour semi-conducteurs sont principalement divisés en deux types : horizontaux et verticaux.
Tube de four horizontal : Dans ce type de tube de four, la plaquette est placée sur un porte-plaquettes en carbure de silicium, qui est ensuite positionné sur une palette de transfert en SiC. La palette de transfert a pour rôle de charger le creuset et la plaquette, puis de les pousser ensemble à l'intérieur du tube de four. Dans la zone isotherme du tube de four, la plaquette subit les réactions chimiques requises. Une fois la réaction terminée, la plaquette est également lentement retirée afin d'éviter toute déformation ou fissuration due aux différences de température entre l'intérieur et l'extérieur du four. La conception du tube de four horizontal permet à la plaquette de conserver une bonne uniformité et stabilité durant le processus de réaction.
Tube de four vertical : Contrairement aux tubes de four horizontaux, les wafers dans les tubes de four verticaux sont placés sur une tour en carbure de silicium. Le wafer pénètre dans le tube de four en carbure de silicium pour le traitement lorsque la tour monte lentement. Une fois la réaction terminée, le wafer doit également être abaissé lentement afin d'éviter toute déformation ou fissuration due aux différences de température. La conception des tubes de four verticaux est avantageuse pour économiser de l'espace et peut offrir de meilleurs effets de réaction dans certains procédés
CARACTÉRISTIQUES
Fiche technique KCE® SiSiC/RBSiC
| Paramètres techniques | Unité | Valeur |
| Teneur en carbure de silicium | % | 85 |
| Teneur en silicium libre | % | 15 |
| Masse volumique à 20°C | g/cm³ | ≥3.02 |
| Porosité ouverte | Vol % | 0 |
| Dureté HK | kg/mm² | 2600 |
| Résistance à la flexion 20°C | MPa | 250 |
| Résistance à la flexion 1200°C | MPa | 280 |
| 20 – 1000°C (Coefficient de dilatation thermique) | 10–6 K–1 | 4.5 |
| Conductivité thermique 1000°C | W/m.k | 45 |
| Statique 20°C (Module d'élasticité) | GPa | 330 |
| Température de fonctionnement | °C | 1300 |
| Temp. max. d'utilisation (air) | °C | 1380 |
Applications
Le tube de four en carbure de silicium fritté par réaction KCE® pour équipements semiconducteurs est l'un des équipements clés du processus de fabrication des semiconducteurs. Les tubes de four ont de nombreuses applications dans les procédés semiconducteurs, notamment la diffusion, l'entraînement, l'oxydation, le dépôt, le recuit et la frittage. Ces procédés sont essentiels pour les performances et la qualité des plaquettes semiconductrices. Les tubes en carbure de silicium sont généralement utilisés dans des équipements tels que les fours d'oxydation-diffusion pour semiconducteurs, les LPCVD et les fours de recuit.
Avantages
Les tubes de four en carbure de silicium de qualité semiconductrice présentent une haute pureté, une excellente résistance à haute température et une bonne stabilité à long terme. Ils possèdent un film mince en matériau de carbure de silicium de haute pureté, ce qui évite l'introduction d'impuretés et réduit la pollution environnementale durant le processus de fabrication. Ils conviennent aux procédés exigeant une grande propreté.
