RSiC ReSiC Plat karbon silikon (Sic), rasuk, penggelek, bekas pembakaran (saggars), tiub penebakan, dll.
Penerangan
Silikon karbida yang dikristal semula (RSiC) ialah bahan seramik berliang yang terbentuk daripada silikon karbida bertaraf tinggi melalui proses pengkristalan semula melalui perebusan-pengembunan pada suhu 2400℃ di bawah tekanan tertentu dan dalam atmosfera lengai. Zarah-zarahnya membentuk struktur berjambatan simbiotik, menunjukkan susutannya hampir tiada semasa pembakaran, serta keporosan sebanyak 10%–20%.
Bahan ini mempunyai kekuatan suhu tinggi yang tinggi, rintangan pengoksidaan yang kuat, rintangan kakisan yang baik, serta kekerasan yang kedua tertinggi selepas berlian. Ia sesuai digunakan untuk komponen industri suhu tinggi seperti perabot kiln, muncung pembakaran, penukar haba, penapis zarah diesel, pengumpul tenaga suria, dan komponen struktur aerospace. Suhu operasi maksimumnya boleh mencapai 1700℃.
Spesifikasi
Lembaran Data Teknikal RSiC
| Parameter Teknikal | Unit | Nilai |
| Kandungan Karbida Silikon | jisim% | ≥99 |
| Ketumpatan Pukal pada 20℃ | g/cm3 | 2.65~2.75 |
| Kekeroporan Ketara | isipadu% | <17 |
| Kekerasan pada 20℃ | KG/MM | 1800-2000 |
| Keteguhan Retak pada 20℃ | MPa × M² | 1.8-2.0 |
| Kekuatan Lenturan pada 20℃ | MPa | 90~100 |
| Kekuatan Lentur pada 1200℃ | MPa | 100~110 |
| 20–1200℃ (Pekali Pengembangan Terma) | 1×10℃ | 4.6 |
| Kekonduksian Terma pada 1200℃ | W/m-K | 35-36 |
| Rintangan Kejutan Terma pada 1200℃ | / | Sangat baik |
| Suhu Perkhidmatan Maks. (udara) | ℃ | 1650 |
Nota: Data di atas merupakan nilai lazim bagi sampel ujian dan tidak mewakili spesifikasi tepat yang dijanjikan syarikat kami untuk semua produk.
Aplikasi
1. Seramik karbon silikon yang dikristal semula mempunyai pelbagai aplikasi dalam industri suhu tinggi, terutamanya digunakan sebagai perabot kilang suhu tinggi, muncung pembakar, tiub pemanasan radiasi seramik, tiub perlindungan komponen, penukar haba, dan muncung pembakaran. Ia menawarkan kelebihan seperti penjimatan tenaga, peningkatan isipadu berkesan kilang, pengurangan tempoh pembakaran, peningkatan kecekapan pengeluaran kilang, serta manfaat ekonomi yang tinggi.
2. Dalam sektor alam sekitar dan tenaga, silikon karbida yang dikristal semula digunakan sebagai penapis zarah diesel (DPF) dan penapis udara bahan api fosil. Disebabkan kekonduksian haba yang tinggi dan penyerapan cahaya yang baik, bahan ini dibuat dalam bentuk seramik berbentuk sarang lebah untuk digunakan sebagai penyerap (pengumpul suria) dalam menara penjanaan kuasa suria haba.
3. Dalam sektor penerbangan angkasa lepas dan pertahanan, silikon karbida yang dikristal semula digunakan untuk menghasilkan komponen struktur seperti enjin, sirip belakang, dan badan kapal angkasa; ia juga digunakan dalam pengeluaran peralatan tentera seperti seramik tahan peluru.
4. Dalam sektor semikonduktor dan fotovoltaik, seramik silikon karbida yang dikristal semula digunakan dalam komponen relau pembakaran suhu tinggi untuk silikon kristalin fotovoltaik serta sebagai cincin penggilap silikon karbida untuk wafer silikon semikonduktor.
5. Dalam industri metalurgi dan kimia, bata silikon karbida yang mengkristal semula digunakan sebagai lapisan relau tiup, lapisan untuk kereta rawatan awal besi cair, lapisan untuk menara pemadaman kering, dan lapisan untuk tangki penyulingan peleburan zink.
6. Dalam bidang-bidang lain, silikon karbida yang mengkristal semula boleh digunakan sebagai pemicu suhu tinggi; struktur berliangnya menyediakan syarat-syarat untuk komposit dengan bahan-bahan lain (seperti Al dan Cu), dan boleh digunakan untuk menyediakan bahan pembungkus elektronik; ia juga digunakan dalam komponen kenderaan automotif, galas kipas dron, dan sebagainya.
Kelebihan
1. Silikon karbida yang mengkristal semula (R-SiC) ialah bahan berprestasi tinggi yang terbentuk pada suhu di atas 2000℃, kedua terkeras selepas berlian. Ia mengekalkan banyak sifat unggul SiC, seperti kekuatan suhu tinggi yang tinggi, rintangan kakisan yang kuat, rintangan pengoksidaan yang sangat baik, dan rintangan kejutan haba yang baik.
2. Sifat mekanikal yang unggul. Silikon karbida yang mengalami rekristalisasi mempunyai kekuatan dan kekukuhan yang lebih tinggi berbanding gentian karbon, rintangan hentaman yang tinggi, serta mampu berfungsi dengan baik dalam persekitaran suhu ekstrem, menunjukkan ketahanan yang luar biasa di bawah pelbagai keadaan. Selain itu, bahan ini mempunyai kelenturan yang baik, tidak mudah rosak akibat peregangan dan lenturan, sehingga meningkatkan ketahanan aplikasinya secara ketara.
3. Rintangan kakisan yang tinggi. Silikon karbida yang mengalami rekristalisasi menunjukkan rintangan kakisan yang tinggi terhadap pelbagai medium, mencegah hakisan oleh pelbagai bahan kakisan, mengekalkan sifat mekanikalnya dalam jangka masa yang panjang, serta mempunyai daya lekat yang kuat, menghasilkan jangka hayat yang lebih panjang. Selain itu, bahan ini juga mempunyai kestabilan haba yang baik, mampu menyesuaikan diri dengan julat perubahan suhu tertentu, sehingga meningkatkan keberkesanan aplikasinya.
4. Tiada susut semasa pensinteran. Memandangkan proses pensinteran tidak menyebabkan susut, tekanan sisa tidak terbentuk yang boleh mengakibatkan ubah bentuk atau retak pada produk, membolehkan pembuatan komponen berbentuk kompleks dengan ketepatan tinggi.
5. Keporosan tinggi selepas pembakaran. Produk SiC yang mengalami rekristalisasi selepas pembakaran mengandungi kira-kira 10%–20% liang sisa. Keporosan bahan ini bergantung lebih kepada keporosan badan hijau itu sendiri dan tidak berubah secara ketara dengan suhu pensinteran, memberikan asas untuk kawalan keporosan. Bahan ini mempunyai pelbagai aplikasi dalam bahan berliang, seperti dalam penapisan gas buangan dan penapisan udara bahan api fosil, di mana ia boleh menggantikan produk berliang tradisional.
6. RSiC mempunyai sempadan butir yang sangat jelas dan bersih, bebas daripada fasa kaca dan bendasing, kerana sebarang oksida atau bendasing logam telah berubah menjadi wap pada suhu tinggi iaitu 2150–2300℃. Mekanisme pensinteran melalui pemejalan-wap juga boleh menulenkan SiC (kandungan SiC dalam RSiC melebihi 99%).