RSiC ReSiC silīcija karbīda (SiC) plāksnes, sijas, rullīši, krāsns trauki, degļu caurules utt.

Atkristalizētais silīcija karbīds (RSiC) ir porains keramikas materiāls, ko iegūst no augstas tīrības silīcija karbīda, izmantojot iztvaikošanas–kondensācijas atkristalizāciju 2400 ℃ temperatūrā noteiktā spiedienā un neaktīvā atmosfērā. Tā daļiņas veido simbiotisku tiltveida struktūru, kurai gandrīz nav sarukuma sakarsēšanas laikā un kuras porainība ir 10–20 %.

Tas īpašojas augstu izturību augstās temperatūrās, lielu oksidēšanās pretestību, labu korozijas pretestību un cietību, kas ir tikai nedaudz zem dimanta. To izmanto augstas temperatūras rūpnieciskajām sastāvdaļām, piemēram, krāsns iekšējām daļām, degšanas sprauslām, siltummaiņiem, dīzeļdegvielas mikrodaļiņu filtriem, saules kolektoriem un kosmosa rūpniecības konstrukcijas daļām. Maksimālā darba temperatūra var sasniegt 1700 ℃.

RSiC tehniskais datu loks

Piezīme: Augstāk minētās vērtības ir tipiskas testa paraugiem un neatspoguļo precīzās specifikācijas, ko mūsu uzņēmums garantē visiem produktiem.

1. Pārkristalizētā silīcija karbīda keramika plaši tiek izmantota augstas temperatūras rūpniecībā, galvenokārt kā augstas temperatūras krāsns iekšējā apdare, degļu sprauslas, keramiskās starojuma sildīšanas caurules, komponentu aizsardzības caurules, siltummaiņi un degšanas sprauslas. Tā piedāvā priekšrocības, piemēram, enerģijas taupīšanu, efektīvās krāsns tilpuma palielināšanu, apdedzināšanas ciklu saīsināšanu, krāsns ražošanas efektivitātes uzlabošanu un augstus ekonomiskos ieguvumus.

2. Vides un enerģētikas jomā pārkristalizēto silīcija karbīdu izmanto kā dīzeļdegvielas partikulu filtru (DPF) un kā fosilo kurināmo gaisa filtru. Tā augstās termiskās vadītspējas un gaismas absorbcijas dēļ to izgatavo kā šūnu struktūras keramiku, ko izmanto kā absorbētājus (saules kolektorus) saules termiskās enerģijas ražošanas torņos.

3. Aerosaimniecības un aizsardzības nozarēs rekristalizētais silīcija karbīds tiek izmantots strukturālo komponentu, piemēram, dzinēju, astes spārnu un korpusu ražošanai aerosaimniecības transportlīdzekļiem; to izmanto arī militāro ieroču, piemēram, lodurupīgu keramisko izstrādājumu ražošanā.

4. Pusvadītāju un fotovoltaisko nozarēs rekristalizētā silīcija karbīda keramika tiek izmantota augstas temperatūras sinterēšanas krāsnīšu komponentos fotovoltaisko kristāliskā silīcija ražošanai, kā arī pusvadītāju silīcija plāksnīšu polēšanas gredzenos.

5. Metalurģijas un ķīmijas rūpniecībā rekristalizētie silīcija karbīda ķieģeļi tiek izmantoti kā pūtējkrāsns iekšējās apdares materiāls, kā arī kā iekšējās apdares materiāls šķidrā dzelzs priekšapstrādes vagoniem, sausās dzesēšanas torņiem un cinka rafinēšanas destilācijas tvertnēm.

6. Citos jomos rekristalizētais silīcija karbīds var tikt izmantots kā augstas temperatūras aizdedzes ierīce; tā porainā struktūra nodrošina apstākļus kompozītu veidošanai ar citiem materiāliem (piemēram, Al un Cu), un to var izmantot elektronisko iepakojumu materiālu pagatavošanai; to izmanto arī automašīnu detaļās, bezpilota lidaparāta propelleru bušingos utt.

1. Rekristalizētais silīcija karbīds (R-SiC) ir augstas veiktspējas materiāls, kas veidojas temperatūrā virs 2000 ℃ un kuram cietība ir tikai nedaudz zem dimanta. Tas saglabā daudzas SiC lieliskās īpašības, piemēram, augstu izturību augstās temperatūrās, spēcīgu korozijas izturību, lielisku oksidēšanās izturību un labu termiskās trieciena izturību.

2. Augstākas mehāniskās īpašības. Atkārtoti kristalizēts silīcija karbīds ir izturīgāks un stingrāks nekā oglekļa šķiedra, tam ir augsta triecienizturība un tas labi darbojas ekstrēmos temperatūras apstākļos, izrādot lielisku pretestību dažādos apstākļos. Turklāt tam ir laba elastība, to grūti bojāt, stiepjot vai liecot, kas ievērojami uzlabo tā pielietojuma rādītājus.

3. Augsta korozijas izturība. Atkārtoti kristalizēts silīcija karbīds ir izturīgs pret dažādiem vidiem, novēršot vairāku korozeivielu izraisītu iznīcināšanu, ilgstoši saglabājot savas mehāniskās īpašības un nodrošinot spēcīgu saķeri, kas veicina garāku kalpošanas laiku. Papildus tam tam ir arī laba termiskā stabilitāte, tādējādi tas pielāgojas noteiktam temperatūras svārstību diapazonam, uzlabojot tā pielietojuma efektivitāti.

4. Neveidojas saraušanās procesā kalcinēšanas laikā. Tā kā kalcinēšanas process nerada saraušanos, netiek radīts atlikušais spriegums, kas varētu izraisīt izstrādājuma deformāciju vai plaisas, tādējādi ļaujot ražot sarežģītas formas un augstas precizitātes komponentus.

5. Augsta porozitāte pēc kalcinēšanas. Pēc kalcinēšanas rekristalizētajos SiC izstrādājumos paliek aptuveni 10–20 % atlikušo poru. Materiāla porozitāte vairāk ir atkarīga no zaļās masas pašas porozitātes un praktiski nemainās atkarībā no kalcinēšanas temperatūras, nodrošinot pamatu porozitātes regulēšanai. Tam ir plašas lietojumu iespējas porainajos materiālos, piemēram, izplūdes gāzu filtrācijā un fosilo kurināmā gaisa filtrācijā, kur to var izmantot kā aizvietojumu tradicionālajiem porainajiem izstrādājumiem.

6. RSiC ir ļoti skaidras un tīras grauda robežas, kurās nav stikla fāzes vai piemaisījumu, jo jebkuri oksīdi vai metālu piemaisījumi jau ir iztvaikojušies augstās temperatūrās — 2150–2300 ℃. Arī iztvaikošanas-kondensācijas sakniešanas mehānisms var attīrīt SiC (RSiC SiC saturs pārsniedz 99 %).