Beskrivning
KCE® reaktionssintrade siliciumkarbid konsolpaddlar/propeller, formade genom gjutning eller 3D-utskrift, reaktionssintrat, och sedan sandblästrade och precisionsbearbetade enligt ritningskraven för att uppfylla användningskraven.
Specifikationer
KCE® SiSiC/RBSiC Teknisk datablad
Tekniska parametrar | Enhet | Värde |
Kväveinnehåll i kiselkarbid | % | 85 |
Fritt silikontinnehåll | % | 15 |
Skrymdensitet 20°C | g/cm3 | ≥3.02 |
Öppen porositet | Vol % | 0 |
Hårdhet HK | kg/mm² | 2600 |
Brottgräns 20°C | Mpa | 250 |
Brottgräns 1200°C | Mpa | 280 |
20 – 1000°C (värmexpansionskoefficient) | 10–6 K–1 | 4.5 |
Värmekonduktivitet 1000°C | W/m.k | 45 |
Statisk 20°C (elasticitetsmodul) | GPA | 330 |
Arbets temperatur | °C | 1300 |
Max drifttemp (luft) | °C | 1380 |
Tillämpningar
Reaktionssintrade siliciumkarbid konsolpaddlar/propeller är en nyckelkomponent i fotovoltaiska cellers lastsystem.
Vanligtvis används för PECVD-utrustning inom den fotovoltaiska solenergiindustrin, eller för att bära och transportera siliciumwafer vid höga temperaturer i LPCVD-utrustning och oxiddiffusionsutrustning.
Fördelar
Silikonkarbidutfjädrande skovlar/propeller har stabil prestanda, deformeras inte i högtemperaturmiljöer, har stor skivkapacitet, tål snabb kylning och uppvärmning, har en liten värmeutvidgningskoefficient och har en lång livslängd.
Den maximala driftstemperaturen kan nå 1380 ℃; Låg termisk utvidgning; Extremt stark beständighet mot termiska chockar; Värmeutvidgningskoefficienten för utfjädrande propeller och LPCVD-beläggning är likartad, och deras användning i LPCVD förlänger underhålls- och rengöringscykeln avsevärt samt minskar föroreningar markant.