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Descrizione
KCE® Pale a mensola in carburo di silicio sinterizzato per reazione, formate mediante processo di colata o stampa 3D, sinterizzate per reazione, quindi sabbiata e lavorate con precisione secondo le richieste del disegno per soddisfare i requisiti d'uso.
Specifiche
Scheda tecnica KCE® SiSiC/RBSiC
| Parametri tecnici | Unità | Valore |
| Contenuto di Carburo di Silicio | % | 85 |
| Contenuto di Silicio libero | % | 15 |
| Densità apparente a 20°C | g/cm3 | ≥3.02 |
| Porosità Aperta | Vol % | 0 |
| Durezza HK | kg/mm² | 2600 |
| Resistenza alla flessione 20°C | Mpa | 250 |
| Resistenza alla flessione 1200°C | Mpa | 280 |
| 20 – 1000°C (Coefficiente di dilatazione termica) | 10–6 K–1 | 4.5 |
| Conducibilità termica 1000°C | W/m·K | 45 |
| Statico 20°C (Modulo di elasticità) | GPA | 330 |
| Temperatura di funzionamento | °C | 1300 |
| Temp. max di utilizzo (aria) | °C | 1380 |
Applicazioni
Le pale a mensola in carburo di silicio sinterizzato per reazione sono un componente chiave del sistema di carico delle celle fotovoltaiche.
Generalmente utilizzate per apparecchiature PECVD nel settore dell'energia solare fotovoltaica, oppure per il trasporto e movimentazione di wafer di silicio ad alte temperature in apparecchiature LPCVD e di diffusione degli ossidi.
Vantaggi
Le palette a sbalzo in carburo di silicio hanno prestazioni stabili, non si deformano in ambienti ad alta temperatura, hanno una grande capacità di carico della wafer, sono resistenti a raffreddamento e riscaldamento rapidi, presentano un coefficiente di dilatazione termica ridotto e offrono una lunga durata.
La temperatura massima di esercizio può raggiungere i 1380 ℃; bassa espansione termica; estrema resistenza alla stabilità termica da shock termici; il coefficiente di espansione termica delle palette a sbalzo è simile a quello del rivestimento LPCVD, e la loro applicazione nell'LPCVD estende notevolmente il ciclo di manutenzione e pulizia e riduce significativamente gli inquinanti.
