EN
Penerangan
KCE® Dayung/sudu silikon karbida (SiC) kantiliber yang disinter melalui tindak balas, dibentuk melalui proses pengecoran atau pencetakan 3D, kemudian disinter melalui tindak balas, lalu ditembak pasir dan dimesin dengan tepat mengikut keperluan lakaran untuk memenuhi keperluan penggunaan.
Spesifikasi
KCE® SiSiC/RBSiC Lembaran Data Teknikal
| Parameter Teknikal | Unit | Nilai |
| Kandungan Karbida Silikon | % | 85 |
| Kandungan Silikon Bebas | % | 15 |
| Ketumpatan Pukal 20°C | g/cm³ | ≥3.02 |
| Keliciran Terbuka | Vol % | 0 |
| Kekerasan HK | kg/mm² | 2600 |
| Kekuatan Lenturan 20°C | MPa | 250 |
| Kekuatan Lenturan 1200°C | MPa | 280 |
| 20 – 1000°C (Pekali Kembangan Terma) | 10–6 K–1 | 4.5 |
| Kekonduktifan Terma 1000°C | W/m.k | 45 |
| Statik 20°C（Modulus Keanjalan ) | GPa | 330 |
| Suhu Operasi | °C | 1300 |
| Suhu Perkhidmatan Maks. (udara) | °C | 1380 |
Aplikasi
Dayung/sudu silikon karbida (SiC) kantiliber yang disinter melalui tindak balas merupakan komponen utama sistem pemuatan sel fotovoltaik.
Biasanya digunakan untuk peralatan PECVD dalam industri tenaga suria fotovoltaik, atau untuk membawa dan mengangkut wafer silikon pada suhu tinggi dalam peralatan LPCVD dan peralatan resapan oksida.
Kelebihan
Dayung/propeller kantilever silikon karbida mempunyai prestasi yang stabil, tidak berubah bentuk dalam persekitaran suhu tinggi, mempunyai kapasiti pemuatan wafer yang besar, tahan terhadap penyejukan dan pemanasan pantas, mempunyai pekali pengembangan haba yang kecil, serta mempunyai jangka hayat perkhidmatan yang panjang.
Suhu operasi maksimum boleh mencapai 1380 ℃; Pengembangan haba rendah; Kestabilan kejutan haba sangat kuat; Pekali pengembangan haba propeller kantilever dan salutan LPCVD adalah serupa, dan aplikasi mereka dalam LPCVD sangat memanjangkan kitar penyelenggaraan dan pembersihan serta secara ketara mengurangkan bahan pencemar.
