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Produits

Pales/hélices en carbure de silicium (SiC)

Description

KCE® Pales/hélices en carbure de silicium fritté par réaction en console, formées par moulage ou impression 3D, frittées par réaction, puis sablées et usinées avec précision selon les exigences du plan afin de répondre aux conditions d'utilisation.

CARACTÉRISTIQUES

Fiche technique KCE® SiSiC/RBSiC

Paramètres techniques Unité Valeur
Teneur en carbure de silicium % 85
Teneur en silicium libre % 15
Masse volumique à 20°C g/cm³ ≥3.02
Porosité ouverte Vol % 0
Dureté HK kg/mm² 2600
Résistance à la flexion 20°C MPa 250
Résistance à la flexion 1200°C MPa 280
20 – 1000°C (Coefficient de dilatation thermique) 10–6 K–1 4.5
Conductivité thermique 1000°C W/m.k 45
Statique 20°C (Module d'élasticité) GPa 330
Température de fonctionnement °C 1300
Temp. max. d'utilisation (air) °C 1380

Applications

Les pales/hélices en carbure de silicium fritté par réaction en console sont un composant clé du système de chargement des cellules photovoltaïques.

Généralement utilisées pour les équipements PECVD dans l'industrie de l'énergie solaire photovoltaïque, ou pour transporter et manipuler des wafers de silicium à haute température dans des équipements LPCVD et d'oxydation par diffusion.

Avantages

Les pales/hélices en carbure de silicium ont une performance stable, ne se déforment pas dans des environnements à haute température, possèdent une grande capacité de chargement de plaquettes, résistent aux refroidissements et chauffages rapides, ont un faible coefficient de dilatation thermique et offrent une longue durée de vie.

La température maximale de fonctionnement peut atteindre 1380 ℃ ; faible dilatation thermique ; stabilité extrêmement élevée au choc thermique ; le coefficient de dilatation thermique de l'hélice en porte-à-faux et du revêtement LPCVD est similaire, et leur utilisation dans les systèmes LPCVD prolonge considérablement les cycles d'entretien et de nettoyage tout en réduisant significativement les polluants.

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