EN
Mô tả
Các bộ phận RBSiC/SiSiC/SSiC dùng cho đồ gá lò tiết kiệm năng lượng bao gồm đồ gá, nồi nung, v.v. Quy trình sản xuất đồ gá, nồi nung silicon carbide kết hợp phản ứng được thực hiện bằng phương pháp đúc trượt hoặc in 3D, sau đó nung ở nhiệt độ cao. Đồ gá và nồi nung silicon carbide có thể được sản xuất theo nhiều kích cỡ khác nhau hoặc thiết kế cá nhân hóa theo yêu cầu.
Thông số kỹ thuật
Bảng thông số kỹ thuật KCE® SiSiC/RBSiC
| Thông số kỹ thuật | Đơn vị | Giá trị |
| Hàm lượng Carbide Silic | % | 85 |
| Hàm lượng Silic tự do | % | 15 |
| Khối lượng riêng khối 20°C | g/cm³ | ≥3.02 |
| Độ xốp hở | Vol % | 0 |
| Độ cứng HK | kg/mm² | 2600 |
| Cường độ uốn 20°C | MPa | 250 |
| Cường độ uốn 1200°C | MPa | 280 |
| 20 – 1000°C (Hệ số giãn nở nhiệt) | 10–6 K–1 | 4.5 |
| Dẫn nhiệt 1000°C | W/m.k | 45 |
| Tĩnh 20°C (Mô đun đàn hồi) | GPa | 330 |
| Nhiệt độ làm việc | °C | 1300 |
| Nhiệt độ làm việc tối đa (trong không khí) | °C | 1380 |
Ứng dụng
Đồ gá và nồi nung gốm silicon carbide chủ yếu được sử dụng trong các tình huống công nghiệp nhiệt độ cao. Phổ biến trong kiểm tra vật liệu pin lithium-ion, linh kiện điện tử, vật liệu từ tính, hàng hóa dễ ăn mòn cao và quá trình thiêu kết các loại bột gốm khác nhau.
Ưu điểm
Các tấm đỡ và nồi nung bằng silicon carbide thiêu kết phản ứng có đặc tính chịu nhiệt độ cao, ổn định tốt trước sốc nhiệt, hệ số giãn nở nhỏ, chống ăn mòn bởi các axit mạnh và kiềm mạnh, chống bong tróc, khả năng kháng bụi bột tốt, và ít biến dạng ở nhiệt độ cao. Đồng thời, tốc độ dẫn nhiệt nhanh giúp sản phẩm được nung nóng đều, hiệu quả giảm tiêu thụ năng lượng, tăng tốc độ nung và nâng cao năng suất sản xuất.
