EN
Mô tả
Tấm đun nóng silicon carbide KCE® được chế tạo bằng phương pháp kết khối khuếch tán hoặc thiêu kết không nén, thông qua ép đẳng tĩnh và thiêu kết ở nhiệt độ cao. Có thể gia công theo thiết kế riêng dựa trên bản vẽ của khách hàng.
Thông số kỹ thuật
Bảng dữ liệu kỹ thuật KCE® SiSiC/RBSiC/SSiC
| Thông số kỹ thuật | Đơn vị | Giá trị SiSiC/RBSiC | Giá trị SSiC |
| Hàm lượng Carbide Silic | % | 85 | 99 |
| Hàm lượng Silic tự do | % | 15 | 0 |
| Khối lượng riêng khối 20°C | g/cm³ | ≥3.02 | ≥3.10 |
| Độ xốp hở | Vol % | 0 | 0 |
| Độ cứng HK | kg/mm² | 2600 | 2800 |
| Cường độ uốn 20°C | MPa | 250 | 380 |
| Cường độ uốn 1200°C | MPa | 280 | 400 |
| 20 – 1000°C (Hệ số giãn nở nhiệt) | 10–6 K–1 | 4.5 | 4.1 |
| Dẫn nhiệt 1000°C | W/m.k | 45 | 74 |
| Tĩnh 20°C (Mô đun đàn hồi) | GPa | 330 | 420 |
| Nhiệt độ làm việc | °C | 1300 | 1600 |
| Nhiệt độ làm việc tối đa (trong không khí) | °C | 1380 | 1680 |
Ứng dụng
Tấm đun nóng silicon carbide KCE® RBSiC/SiSiC/SSiC có thể được sử dụng để sản xuất các tấm nền kính; dùng trong máy uốn nóng kính 3D cho màn hình điện thoại di động và máy tính bảng; dùng trong máy tạo hình nhiệt kính 3D cho màn hình hiển thị điều khiển trung tâm trên ô tô; dùng trong các máy tạo hình nóng ép kính phi cầu (máy ép khuôn).
Ưu điểm
Các tính năng vượt trội ở nhiệt độ cao của tấm đun nóng bằng silicon carbide KCE® RBSiC/SiSiC/SSiC có những ưu điểm như dẫn nhiệt cao, độ đồng đều nhiệt tốt, truyền nhiệt và tản nhiệt nhanh, tốc độ phản hồi nhiệt nhanh (tốc độ gia nhiệt và làm mát nhanh); chịu được nhiệt độ cao mà không bị biến dạng, độ phẳng tốt; khả năng chống mài mòn tốt và không sinh ra các chất gây ô nhiễm dạng bụi; khả năng chống oxy hóa ở nhiệt độ cao tốt... Những đặc tính này khiến nó trở thành vật liệu lý tưởng cho các bộ phận chịu nhiệt trong quá trình tạo hình kính điện tử.
