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Beschreibung
KCE® Reaktionssinter- oder druckloses Sintersiliziumkarbid-Heizelemente werden durch isostatisches Pressen und Hochtemperatursintern hergestellt. Eine kundenspezifische Bearbeitung kann entsprechend den Konstruktionszeichnungen des Benutzers durchgeführt werden.
TECHNISCHE DATEN
KCE® SiSiC/RBSiC/SSiC Technisches Datenblatt
| Technische Parameter | Einheit | SiSiC/RBSiC Wert | SSiC Wert |
| Siliziumkarbid-Gehalt | % | 85 | 99 |
| Freier Silizium-Gehalt | % | 15 | 0 |
| Rohdichte bei 20°C | g/cm³ | ≥3.02 | ≥3.10 |
| Offene Porosität | Vol % | 0 | 0 |
| Härte HK | kg/mm² | 2600 | 2800 |
| Biegefestigkeit 20°C | Mpa | 250 | 380 |
| Biegefestigkeit 1200°C | Mpa | 280 | 400 |
| 20 – 1000°C (Wärmeausdehnungskoeffizient) | 10–6 K–1 | 4.5 | 4.1 |
| Wärmeleitfähigkeit 1000°C | W/m.k | 45 | 74 |
| Statisch 20°C (Elastizitätsmodul) | GPa | 330 | 420 |
| Betriebstemperatur | °C | 1300 | 1600 |
| Max. Einsatztemperatur (Luft) | °C | 1380 | 1680 |
Anwendungen
KCE® RBSiC/SiSiC/SSiC Siliziumkarbid-Heizplatten können zur Herstellung von Glasträgern verwendet werden; einsetzbar in 3D-Glas-Heißbiegemaschinen für Mobiltelefone und Tablet-Displays; verwendbar in 3D-Glas-Umformmaschinen für automotiv Endkontroll-Displays; nutzbar in nicht-sphärischen Glasumformmaschinen (Formpressen).
Vorteile
Die überlegenen Hochtemperatur-Eigenschaften der KCE® RBSiC/SiSiC/SSiC Siliciumcarbid-Heizplatten bieten Vorteile wie hohe Wärmeleitfähigkeit, gute Temperaturgleichmäßigkeit, schnelle Wärmeübertragung und -abfuhr sowie schnelle thermische Ansprechgeschwindigkeit (Heiz- und Kühlgeschwindigkeit); Hochtemperaturbeständigkeit ohne Verformung, gute Planlauf; Gute Verschleißfestigkeit und keine Bildung von staubförmigen Schadstoffen; Gute Hochtemperaturoxidationsbeständigkeit usw., wodurch es ein ideales Material für hitzebeständige Bauteile in elektronischen Glasformprozessen ist.
