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제품 설명
KCE® 반응 소결 또는 무압 소결 방식의 사일리콘 카바이드 히팅 플레이트는 등압 프레스 성형과 고온 소결을 통해 제작됩니다. 사용자 설계 도면에 따라 맞춤 가공이 가능합니다.
사양
KCE® SiSiC/RBSiC/SSiC 기술 자료 시트
| 기술 파라미터 | UNIT | SiSiC/RBSiC 사양 | SSiC 사양 |
| 탄화규소 함량 | % | 85 | 99 |
| 자유 규소 함량 | % | 15 | 0 |
| 20°C 체적 밀도 | g/cm³ | ≥3.02 | ≥3.10 |
| 개기공률 | 부피 % | 0 | 0 |
| 경도 HK | kg/mm² | 2600 | 2800 |
| 휨강도 20°C | Mpa | 250 | 380 |
| 휨강도 1200°C | Mpa | 280 | 400 |
| 20 – 1000°C (열팽창 계수) | 10–6 K–1 | 4.5 | 4.1 |
| 열전도도 1000°C | W/m.k | 45 | 74 |
| 정적 20°C(탄성 계수) | GPa | 330 | 420 |
| 작동 온도 | °C | 1300 | 1600 |
| 최대 사용 온도(공기 중) | °C | 1380 | 1680 |
적용 분야
KCE® RBSiC/SSiC/SiSiC 사일리콘 카바이드 히팅 플레이트는 유리 기판 생산에 사용 가능하며, 스마트폰 및 태블릿 디스플레이용 3D 유리 열 굴곡 성형기, 자동차 최종 제어 디스플레이 스크린용 3D 유리 열성형기, 비구면 유리 성형 핫 포밍 머신(성형기)에 적용할 수 있습니다.
장점
KCE® RBSiC/SiSiC/SSiC 실리콘카바이드 가열판은 뛰어난 고온 특성 덕분에 높은 열전도율, 우수한 온도 균일성, 빠른 열전달 및 방출 속도, 빠른 열 반응 속도(가열 및 냉각 속도), 고온에서도 변형 없음, 우수한 평탄도, 우수한 내마모성으로 먼지 오염물질을 발생시키지 않음, 우수한 고온 산화 저항성 등의 장점을 지니고 있어 전자유리 성형 공정의 내열 부품용 소재로서 이상적입니다.
