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説明
KCE® 反応焼結または無圧焼結炭化ケイ素ヒータープレートは、等方圧プレス成形および高温焼結によって製造されます。ユーザーの設計図に応じたカスタマイズ加工が可能です。
仕様
KCE® SiSiC／RBSiC／SSiC 技術資料
| 技術仕様 | ユニット | SiSiC／RBSiC バリュー | SSiC バリュー |
| 炭化ケイ素含有量 | % | 85 | 99 |
| 遊離ケイ素含有量 | % | 15 | 0 |
| 体積密度 20°C | g/cm3 | ≥3.02 | ≥3.10 |
| 開気孔率 | 体積% | 0 | 0 |
| 硬度 HK | kg/mm² | 2600 | 2800 |
| 曲げ強度 20°C | Mpa | 250 | 380 |
| 曲げ強度 1200°C | Mpa | 280 | 400 |
| 20 – 1000°C（熱膨張係数） | 10–6 K–1 | 4.5 | 4.1 |
| 熱伝導率 1000°C | W/m・k | 45 | 74 |
| 静的 20°C（弾性係数） | 平均 | 330 | 420 |
| 動作温度 | °C | 1300 | 1600 |
| 最高使用温度（空気中） | °C | 1380 | 1680 |
応用
KCE® RBSiC/SiSiC/SSiC 炭化ケイ素ヒータープレートは、ガラス基板の製造に使用できます。スマートフォンやタブレットディスプレイ用の3Dガラス熱間曲げ成形機、自動車用最終制御ディスプレイ画面用の3Dガラス熱成形機、非球面ガラス成形用熱間成形機（成形機）にも適用可能です。
利点
KCE® RBSiC/SiSiC/SSiC ケイ化炭素加熱プレートの優れた高温特性には、高い熱伝導性、良好な温度均一性、迅速な熱伝達および放熱、速い熱応答速度（加熱・冷却速度）、高温下での変形が少なく平面性が良好、優れた耐摩耗性で粉塵汚染物質を発生しない、優れた高温酸化抵抗性などの利点があり、電子ガラス成形プロセスにおける耐熱部品に最適な材料となっています。
