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Descrição
As placas aquecedoras de carbeto de silício KCE® por sinterização reativa ou sinterização sem pressão são formadas por prensagem isostática e sinterização em alta temperatura. O processamento personalizado pode ser realizado conforme desenhos de projeto do usuário.
Especificações
Ficha Técnica KCE® SiSiC/RBSiC/SSiC
| Parâmetros Técnicos | Unidade | Valor SiSiC/RBSiC | Valor SSiC |
| Teor de Carbeto de Silício | % | 85 | 99 |
| Teor de Silício Livre | % | 15 | 0 |
| Densidade aparente a 20°C | g/cm³ | ≥3.02 | ≥3.10 |
| Porosidade Aberta | Vol % | 0 | 0 |
| Dureza HK | kg/mm² | 2600 | 2800 |
| Resistência à Flexão 20°C | Mpa | 250 | 380 |
| Resistência à Flexão 1200°C | Mpa | 280 | 400 |
| 20 – 1000°C (Coeficiente de Expansão Térmica) | 10–6 K–1 | 4.5 | 4.1 |
| Condutividade Térmica 1000°C | W/m.k | 45 | 74 |
| Estática 20°C (Módulo de Elasticidade) | GPa | 330 | 420 |
| Temperatura de Trabalho | °C | 1300 | 1600 |
| Temp. Máx. de Serviço (ar) | °C | 1380 | 1680 |
Aplicações
As placas aquecedoras de carbeto de silício KCE® RBSiC/SiSiC/SSiC podem ser usadas na produção de substratos de vidro; utilizadas em máquinas de curvatura térmica 3D para displays de telefones celulares e tablets; utilizadas em máquinas de termoformagem 3D para telas de controle automotivo; utilizadas em máquinas de moldagem a quente para vidros não esféricos (máquinas de moldagem).
Vantagens
As superiores propriedades em alta temperatura das placas de aquecimento de carbeto de silício KCE® RBSiC/SiSiC/SSiC possuem vantagens, como alta condutividade térmica, boa uniformidade de temperatura, rápida transferência e dissipação de calor e alta velocidade de resposta térmica (velocidade de aquecimento e resfriamento); alta temperatura sem deformação, boa planicidade; boa resistência ao desgaste e não produz poluentes em forma de poeira; boa resistência à oxidação em altas temperaturas, entre outras, o que a torna um material ideal para componentes resistentes ao calor em processos de moldagem de vidro eletrônico.
