EN
Beschrijving
Een siliciumcarbide waferboot is een hittebestendig onderdeel dat in ovenbuizen wordt gebruikt om wafers te laden voor behandeling bij hoge temperatuur. Vanwege de hoge temperatuurbestendigheid, chemische corrosiebestendigheid en goede thermische stabiliteit, worden ze veel gebruikt in diverse warmtebehandelingsprocessen zoals diffusie, oxidatie CVD, gloeien, enz.
Specificaties
KCE® SiSiC/RBSiC Technische gegevens
| Technische Parameters | Eenheid | Waarde |
| Siliciumcarbid gehalte | % | 85 |
| Vrij siliciumgehalte | % | 15 |
| Bulkdichtheid 20°C | g/cm³ | ≥3.02 |
| Open Porositeit | Vol % | 0 |
| Hardheid HK | kg/mm² | 2600 |
| Buigsterkte 20°C | Mpa | 250 |
| Buigsterkte 1200°C | Mpa | 280 |
| 20 – 1000°C (coëfficiënt van thermische uitzetting) | 10–6 K–1 | 4.5 |
| Thermische geleidbaarheid 1000°C | W/m.k | 45 |
| Statisch 20°C (Elasticiteitsmodulus ) | GPa | 330 |
| Werktemperatuur | °C | 1300 |
| Max. gebruikstemperatuur (lucht) | °C | 1380 |
Toepassingen
Binnen het vakgebied van nieuwe energie en fotovoltaïk zijn siliciumcarbidische keramische materialen geleidelijk aan een sleuteldrager geworden in het productieproces van zonnecellen, zoals bootdragers, bootkisten en pijponderdelen, en de marktvraag blijft stijgen. Binnen de nieuwe energiesector van fotovoltaïk en elektronica wordt siliciumcarbidische oveninrichting gebruikt als transportcomponent voor diffusieovens en sinterovens, om zo de stabiliteit van de materiaaleigenschappen bij hoge temperaturen te garanderen. In het veld van nieuwe energievoertuigen wordt siliciumcarbidische keramische oveninrichting toegepast in de sinter- en warmtebehandelingsprocessen van positieve en negatieve elektrodematerialen en elektrolyten voor lithium-ionbatterijen, wat de productiecapaciteit van de oven verbetert en het energieverbruik vermindert.
Siliciumcarbide kristalboten worden toegepast in de fotovoltaïsche industrie. In het productieproces van fotovoltaïsche cellen worden siliciumcarbide kristalboten voornamelijk gebruikt om siliciumwafers te dragen, waardoor hun stabiliteit en gelijkmatige verwarming tijdens de verwerking wordt gegarandeerd. Vanwege de hoge thermische geleidbaarheid van siliciumcarbide kristalboten kunnen zij warmte effectief afvoeren van de siliciumwafers, waardoor deze niet beschadigd raken door oververhitting. Daarnaast zorgt de chemische stabiliteit van siliciumcarbide kristalboten er ook voor dat zij geen chemische reacties aangaan met siliciumwafers of andere materialen tijdens de verwerking, wat anders de prestaties van fotovoltaïsche cellen zou kunnen beïnvloeden.
Voordelen
Met zijn eigenschappen van hoge temperatuurbestendigheid, corrosiebestendigheid en goede thermische geleidbaarheid, speelt het een sleutelrol in de gebieden van nieuwe energie fotovoltaïsche systemen en nieuwe energie voertuigen.
Vergeleken met traditionele kwarts kristalboten, hebben siliciumcarbide kristalboten een hogere thermische stabiliteit en mechanische sterkte. Onder hoge temperatuurcondities vervormen of breken siliciumcarbide kristalboten niet gemakkelijk, wat de stabiliteit en opbrengst van fotovoltaïsche celproductie waarborgt. Daarnaast is de levensduur van siliciumcarbide kristalboten langer, wat de vervangingsfrequentie en onderhoudskosten verlaagt en grotere economische voordelen oplevert voor fotovoltaïsche bedrijven.
