EN
Panaudojimo būdai
Reakciniu būdu silicijuotas karbidas, taip pat žinomas kaip silicio karbido dezulfurizacijos purkštukas, naudojamas atliekų dujų skalavimui, dujų aušinimui, skalavimo ir balinimo procesams, gaisrų gesinimui, dūmų dujų dezulfurizacijos sistemai bei dulkių šalinimo sistemai. Pagrindinis panaudojimas – elektrinėse dezulfurizacijai, kad būtų pašalintas sieros dioksidas ir kiti teršalai iš elektrinės dūmų dujų; tai yra pagrindinis šiluminės energijos jėgainių, didelių katilų bei dezulfurizacijos ir dulkių šalinimo įrangos komponentas. Šiuo metu yra trys silicio karbido purkštukų serijos ir dešimtys jų tipų: sūkurinės, spiralės ir skysčio stulpelio tipo. Jungiamieji būdai apima flanšinį sujungimą, vyniojamąjį sujungimą ir srieginius sujungimus. Dezulfurizacijos procesas apima sausąjį dezulfurizacijos procesą, pusiau sausąjį dezulfurizacijos procesą, drėgnąjį dūmų dujų dezulfurizacijos procesą ir kt. Dezulfurizacijos procesuose dažniausiai naudojami slėgio purkštukai yra kietojo kūgio sūkuriniai purkštukai, tuščiojo kūgio sūkuriniai purkštukai, oro kūgio sūkuriniai purkštukai ir kietojo kūgio sūkuriniai purkštukai.
Privalumai
Silicio karbido dezulfūrinimo purkštukas yra naujo tipo keraminis materiolas, turintis puikią savybių, tokių kaip didelis stiprumas, didelis kietumas, stipri korozijos atsparumas, didelis nubrozdinimų atsparumas, atsparumas aukštai temperatūrai ir pan. Jis gali būti ilgalaikis, ypač ekstremaliomis sąlygomis.
Specializacijos
KCE® SiSiC/RBSiC Techninės savybės
| Techniniai parametrai | VIENETAS | Vertė |
| Silicio karbido kiekis | % | 85 |
| Laisvo silicio kiekis | % | 15 |
| Bendras tankis 20°C | g/cm³ | ≥3.02 |
| Atvira poringė | Tūrio % | 0 |
| Kietumas HK | kg/mm² | 2600 |
| Lenkimo stipris 20°C | MPA | 250 |
| Lenkimo stipris 1200°C | MPA | 280 |
| 20 – 1000°C (Šiluminio plėtimosi koeficientas) | 10–6 K–1 | 4.5 |
| Šilumos laidumas 1000°C | Vat/m.k | 45 |
| Statinis 20°C (Elastiškumo modulis) | Gpa | 330 |
| Darbo temperatūra | °C | 1300 |
| Maks. darbo temperatūra (ore) | °C | 1380 |
