Beskrivning
KCE®-kolvävsar av siliciumkarbid formges genom kall isostatisk pressning och tillverkas genom reaktionssintering eller sintering utan pålagd tryck. Tillverkning av innerkant, precisionsbearbetning av ytterdiameter och ändyta kan utföras enligt designkrav för att möta olika konstruktionsbehov hos användarna. Kolvävsarna av siliciumkarbid anpassas enligt kundens ritningar.
Specifikationer
KCE® SiSiC/RBSiC Teknisk datablad
Tekniska parametrar | Enhet | Värde |
Kväveinnehåll i kiselkarbid | % | 85 |
Fritt silikontinnehåll | % | 15 |
Skrymdensitet 20°C | g/cm3 | ≥3.02 |
Öppen porositet | Vol % | 0 |
Hårdhet HK | kg/mm² | 2600 |
Brottgräns 20°C | Mpa | 250 |
Brottgräns 1200°C | Mpa | 280 |
20 – 1000°C (värmexpansionskoefficient) | 10–6 K–1 | 4.5 |
Värmekonduktivitet 1000°C | W/m.k | 45 |
Statisk 20°C (elasticitetsmodul) | GPA | 330 |
Arbets temperatur | °C | 1300 |
Max drifttemp (luft) | °C | 1380 |
Tillämpningar
Nöt- och korrosionsmotståndet hos kiselkarbidkeramer beror på deras unika kristallstruktur och mikrostrukturdesign, vilket gör att de kan behålla utmärkt prestanda även i extrema miljöer.
KCE®-kolvävsar av siliciumkarbid är effektiva utrustningskomponenter som använder centrifugalkraft för partikelseparation och spelar en viktig roll inom industrier såsom gruvdrift, kemisk industri och keramik.
Fördelar
Med omvandlingen och uppgraderingen av tillverkningsindustrin samt den tekniska utvecklingen ökar efterfrågan på siliciumkarbid-cyclonkonhylsor/fodral/lining ständigt, och deras fördelar vad gäller särdragsförmåga, nötningsmotstånd, minskad energiförbrukning och enkel underhållbarhet blir allt mer framträdande.