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विवरण
आमतौर पर सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) रिकपरेटर (ऊष्मा विनिमय ट्यूब के रूप में भी जाने जाते हैं) सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) बाहरी विकिरण ट्यूब और आंतरिक विकिरण ट्यूब (जिन्हें ज्वाला ट्यूब भी कहा जाता है) के साथ मिलकर काम करते हैं।
रिकपरेटर को सीधे और अप्रत्यक्ष तापन अनुप्रयोगों दोनों के लिए कुल बर्नर प्रणालियों में एकीकृत किया जा सकता है। इन्हें हर प्रकार और आकार की विकिरण ट्यूब में स्थापित किया जा सकता है। रिकपरेटर ऊर्जा का पुनर्चक्रण करते हैं, जिससे अधिक परिष्कृत प्रणालियों में पारंपरिक सिरेमिक रिकपरेटर तक 75% तक की दक्षता प्राप्त करने में सहायता करते हैं।
पारंपरिक अप्रत्यक्ष तापन मुख्य रूप से ताप प्रणाली की विकिरण तापन ट्यूब के रूप में धातु या उसके मिश्र धातु का उपयोग करता है, लेकिन अब तक, अधिकांश धातु विकिरण ट्यूब के संचालन तापमान की ऊपरी सीमा केवल 1000 ℃ है, जो कई प्रक्रियाओं की उच्च तापमान आवश्यकताओं को पूरा नहीं कर सकती। वर्तमान में मुख्य समस्या उच्च तापमान और अधिक जटिल माध्यम में दीर्घकालिक उपयोग की विश्वसनीयता में है। प्रतिक्रिया सिंटर किए गए सिलिकॉन कार्बाइड (RBSiC/SiSiC) रिकपरेटर्स का उपयोग 1380 ℃ के उच्च तापमान पर विभिन्न क्षरणकारी माध्यमों में लंबे समय तक स्थिर रूप से किया जा सकता है।
विनिर्देश
केसीई® एसआईएसआईसी/आरबीएसआईसी तकनीकी डेटा शीट
| तकनीकी मापदंड | इकाई | मूल्य |
| सिलिकॉन कार्बाइड सामग्री | % | 85 |
| मुक्त सिलिकॉन सामग्री | % | 15 |
| 20 डिग्री सेल्सियस पर बल्क घनत्व | g/cm³ | ≥3.02 |
| खुली छिद्रता | आयतन % | 0 |
| कठोरता HK | किग्रा/वर्ग मिमी | 2600 |
| बंकन शक्ति 20°सेल्सियस | एमपीए | 250 |
| बंकन शक्ति 1200°सेल्सियस | एमपीए | 280 |
| 20 – 1000°सेल्सियस (ऊष्मीय प्रसार का गुणांक) | 10–6 K–1 | 4.5 |
| ऊष्मीय चालकता 1000°सेल्सियस | वाट/मी.केल्विन | 45 |
| स्थिर 20°C (लोच का प्रत्यास्थता मापांक) | जीपीए | 330 |
| कार्यशील तापमान | °C | 1300 |
| अधिकतम उपयोग तापमान (हवा में) | °C | 1380 |
अनुप्रयोग
प्रतिक्रिया सिंटर किए गए सिलिकॉन कार्बाइड (SiSiC) रिकपरेटर्स का उच्च तापमान ऊष्मा उपचार के क्षेत्र में महत्वपूर्ण अनुप्रयोग हैं, गैस अप्रत्यक्ष तापन धातु सामग्री और कांच उद्योगों तथा पेट्रोरसायन उद्योगों आदि में सिंटरिंग, विलयन, ऊष्मा उपचार में एक महत्वपूर्ण विधि है।
लाभ
प्रतिक्रिया सिंटर किए गए सिलिकॉन कार्बाइड (RBSiC/SiSiC) रिकपरेटर्स का उपयोग उच्च-तापमान हीटर और तापन तत्वों के रूप में किया जा सकता है, जो 1300 ℃ से अधिक के वातावरण को सहन करने में सक्षम होते हैं। इसके साथ ही, इनमें उत्कृष्ट यांत्रिक शक्ति और उच्च तापीय चालकता होती है, जो ऊष्मा उपचार उपकरणों की दक्षता में महत्वपूर्ण सुधार कर सकती है। इसकी उच्च तापीय चालकता (स्टेनलेस स्टील की तुलना में 5 गुना) का उपयोग करते हुए, सिलिकॉन कार्बाइड सेरेमिक्स से बने विकिरण ट्यूब, ज्वाला ट्यूब आदि ऊष्मा उपचार उद्योगों में दक्ष ताप संचरण प्राप्त करते हैं।
प्रत्यक्ष दहन तापन की तुलना में, अप्रत्यक्ष गैस तापन उष्मीय दक्षता में बहुत सुधार कर सकता है और NO जैसी हानिकारक गैसों के उत्सर्जन को कम कर सकता है। इसी समय, यह तापमान की स्थिरता में सुधार करता है और भट्ठी के आंतरिक वातावरण पर नियंत्रण सुनिश्चित करता है; इसी समय, कई औद्योगिक तापन प्रक्रियाओं में, कार्यवस्तु को दहन वातावरण से अलग करने की आवश्यकता होती है। यह सब अप्रत्यक्ष विकिरण तापन की आवश्यकता करता है।
