Kuvaus
Yleensä silikonikarbidia (SiC) sisältävät regeneraattorit (joita kutsutaan myös lämmönsiirtoputkiksi) toimivat yhdessä silikonikarbidia (SiC) sisältävien ulkoisten säteilyputkien ja sisäisten säteilyputkien (joita kutsutaan myös liekkiputkiksi) kanssa.
Regeneraattorit voidaan integroida kokonaisiin polttimijärjestelmiin sekä suoraa että epäsuoraa lämmitystä varten. Ne voidaan asentaa kaiken tyyppisiin ja kokoisiin säteilyputkiin. Regeneraattori kierrättää energiaa, ja näillä perinteisillä keramiikkaregeneraattoreilla saavutetaan tehokkuutta jopa 75 % monimutkaisemmissa järjestelmissä.
Perinteinen epäsuora lämmitys käyttää pääasiassa metallia tai sen seosta lämmitysjärjestelmän säteilylämpöputkina, mutta toistaiseksi valtaosan metallisäteilyputkien käyttölämpötilan yläraja on vain 1000 ℃, mikä ei riitä monien prosessien korkeampiin lämmityslämpötilavaatimuksiin. Pääasiallinen ongelma liittyy tällä hetkellä pitkäaikaisen käytön luotettavuuteen korkeissa lämpötiloissa ja monimutkaisemmissa väliaineissa. Reaktioreaktoidusta piikarbidista (RBSiC/SiSiC) valmistetut lämpöpatterit voidaan käyttää stabiilisti erilaisissa syövyttävissä väliaineissa pitkäaikaisesti 1380 ℃:n lämpötilassa.
Mitat
KCE® SiSiC/RBSiC -tekninen tietolehti
Tekniset parametrit | Yksikkö | Arvo |
Rikkihiilen osuus | % | 85 |
Vapaan piin osuus | % | 15 |
Tiheys 20 °C:ssa | g/cm³ | ≥3.02 |
Avoin huokosuus | Vol % | 0 |
Kovuus HK | kg/mm² | 2600 |
Taivutuslujuus 20°C | MPa | 250 |
Taivutuslujuus 1200°C | MPa | 280 |
20 – 1000°C (Lämpölaajenemiskerroin) | 10–6 K–1 | 4.5 |
Lämmönjohtavuus 1000°C | W/m.k | 45 |
Staattinen 20°C (kimmoisuusmoduuli) | GPa | 330 |
Toimintalämpötila | °C | 1300 |
Maks. käyttölämpötila (ilma) | °C | 1380 |
Sovellukset
Reaktioreaktoidusta piikarbidista (SiSiC) valmistetuilla lämpöpattereilla on tärkeä merkitys korkealämpötilaisessa lämpökäsittelyssä. Kaasun epäsuora lämmitys on tärkeä menetelmä metallimateriaalien sintrauksessa, sulattamisessa ja lämpökäsittelyssä sekä lasi- ja maaöljyteollisuudessa.
Edut
Reaktiosinteroitu silikonikarbidia (RBSiC/SiSiC) käytetään korkean lämpötilan lämmittiminä ja lämmityselementteinä, ja se kestää yli 1300 ℃:n ympäristöjä. Samalla sillä on erinomainen mekaaninen lujuus ja korkea lämmönjohtavuus, mikä voi merkittävästi parantaa lämpökäsittelylaitteiston tehokkuutta. Käyttäen hyväksi sen korkeaa lämmönjohtavuutta (viisi kertaa ruostumattoman teräksen verran), silikonikarbidikeramiikasta valmistetut säteilyputket, liekkiputket ym. saavuttavat tehokkaan lämmönsiirron lämpökäsittelyteollisuudessa.
Suoraan polttoon perustavaa lämmitystä vastaan epäsuora kaasulämmitys voi huomattavasti parantaa lämpötehokkuutta ja vähentää haitallisten kaasujen, kuten typen oksidien, päästöjä. Samalla se parantaa lämpötilan stabiilisuutta ja takaa uunin sisäisen ilmapiirin hallinnan; samanaikaisesti monissa teollisissa lämmitysprosesseissa vaaditaan, että työkappale erotetaan polttokaasusta. Kaikki tämä edellyttää epäsuoraa säteilylämmitystä.