EN
Mô tả
Ống lò khí quyển silicon carbide (SiC) kết phản ứng KCE® sử dụng khuôn đúc, có kích thước lớn, độ bền cao, độ tinh khiết cao, ổn định cao và tuổi thọ dài, có thể đáp ứng nhu cầu sản xuất và chế tạo các công đoạn quy trình nhiệt độ cao của tế bào quang điện.
Thông số kỹ thuật
Bảng thông số kỹ thuật KCE® SiSiC/RBSiC
| Thông số kỹ thuật | Đơn vị | Giá trị |
| Hàm lượng Carbide Silic | % | 85 |
| Hàm lượng Silic tự do | % | 15 |
| Khối lượng riêng khối 20°C | g/cm³ | ≥3.02 |
| Độ xốp hở | Vol % | 0 |
| Độ cứng HK | kg/mm² | 2600 |
| Cường độ uốn 20°C | MPa | 250 |
| Cường độ uốn 1200°C | MPa | 280 |
| 20 – 1000°C (Hệ số giãn nở nhiệt) | 10–6 K–1 | 4.5 |
| Dẫn nhiệt 1000°C | W/m.k | 45 |
| Tĩnh 20°C (Mô đun đàn hồi) | GPa | 330 |
| Nhiệt độ làm việc | °C | 1300 |
| Nhiệt độ làm việc tối đa (trong không khí) | °C | 1380 |
Ứng dụng
Ống lò silicon carbide (SiC) kết phản ứng KCE® là thành phần chính trong hệ thống nạp liệu tế bào quang điện.
Phù hợp cho các bộ phận buồng lò nhiệt độ cao được sử dụng trong các quá trình sản xuất liên quan đến tế bào quang điện.
Chúng có thể đáp ứng nhu cầu sản xuất và chế tạo các công đoạn quy trình nhiệt độ cao của tế bào quang điện.
Phù hợp cho quá trình LP, quá trình PE, quá trình oxy hóa và quá trình mở rộng boron của tế bào quang điện.
Ưu điểm
Ống lò silicon carbide cấp quang điện có đường kính trong và chiều dài lớn, độ ổn định nhiệt cực cao, khả năng chống ăn mòn tốt, có thể thích ứng hiệu quả với hệ thống tải của thiết bị quang điện thế hệ mới, cải thiện đáng kể độ ổn định lâu dài của buồng lò thiết bị quang điện. Nó đóng vai trò then chốt trong các lĩnh vực quang điện năng lượng mới và phương tiện giao thông năng lượng mới.
