EN
Aprašymas
Šie RBSiC/SiSiC komponentai karščiui apdoroti apima liepsnos vamzdžius (dar vadinamus vidiniais spinduliavimo vamzdžiais) ir išorinius spinduliavimo vamzdžius bei silicio karbido rekuperatorius (dar vadinamus šilumos mainų vamzdžiais), kurie veikia kaip vienas vienetas. Silicio karbido (SiC) liepsnos vamzdžiai/yra vidiniai spinduliavimo vamzdžiai. Liepsnos vamzdžiai (difuzoriai) nukreipia degimo ir degimo dujų srautą vieno galo spinduliavimo vamzdžių taikymuose. Forma gali būti suprojektuota pagal užsakymą, kad būtų pasiekta puiki temperatūros vientisumas.
Tradicinis netiesioginis kaitinimas dažniausiai naudoja metalą ar jo lydinį kaip šildymo sistemos spinduliuojančiąją kaitinimo vamzdį, tačiau iki šiol didžiosios daugumos metalinių spinduliavimo vamzdelių darbinės temperatūros viršutinė riba yra tik 1000 ℃, kas negali patenkinti daugelio procesų aukštesnių šildymo temperatūrų reikalavimų. Pagrindinė problema šiuo metu yra ilgalaikio naudojimo patikimumas aukštesnėse temperatūrose ir sudėtingesnėse terpėse. Reakciniu būdu gaminami silicio karbido liepsnos vamzdžiai/gamtiniai dujos gali būti stabiliai naudojami įvairiose korozines medžiagose esant aukštai temperatūrai – 1380 ℃ – ilgą laiką.
Specializacijos
KCE® SiSiC/RBSiC Techninės savybės
| Techniniai parametrai | VIENETAS | Vertė |
| Silicio karbido kiekis | % | 85 |
| Laisvo silicio kiekis | % | 15 |
| Bendras tankis 20°C | g/cm³ | ≥3.02 |
| Atvira poringė | Tūrio % | 0 |
| Kietumas HK | kg/mm² | 2600 |
| Lenkimo stipris 20°C | MPA | 250 |
| Lenkimo stipris 1200°C | MPA | 280 |
| 20 – 1000°C (Šiluminio plėtimosi koeficientas) | 10–6 K–1 | 4.5 |
| Šilumos laidumas 1000°C | Vat/m.k | 45 |
| Statinis 20°C (Elastiškumo modulis) | Gpa | 330 |
| Darbo temperatūra | °C | 1300 |
| Maks. darbo temperatūra (ore) | °C | 1380 |
Panaudojimo būdai
Silicio karbidas (SiC) liepsnos vamzdžiai/vamdukeliai kartu su išoriniais spinduliavimo vamzdžiais ir silicio karbido rekuperatoriais turi svarbių taikymų aukštos temperatūros termoapdirbo srityje, dujų netiesioginis šildymas yra svarbus metodas metalų medžiagų ir stiklo pramonėje bei naftos cheminėje pramonėje vykstančiam sinterizavimui, lydymui, termoapdirbimui ir pan.
Privalumai
Silicio karbido (SiC) liepsnos vamzdžiai/gamintuvai gali būti naudojami kaip aukštos temperatūros šildytuvai ir šildymo elementai, gebantys išlaikyti aplinką aukščiau 1300 ℃. Tuo pačiu metu jie pasižymi puikiu mechaniniu stiprumu ir aukštu šilumos laidumu, kurie gali ženkliai padidinti terminio apdorojimo įrangos efektyvumą. Dėl didelio šilumos laidumo (5 kartus didesnis nei nerūdijančio plieno), silicio karbido keramika pagaminti spinduliavimo vamzdžiai, liepsnos vamzdžiai ir kt. šilumos apdorojimo pramonėje užtikrina efektyvų šilumos perdavimą.
Palyginti su tiesioginiu deginimu, netiesioginis dujų šildymas gali žymiai padidinti šiluminį naudingumo koeficientą ir sumažinti kenksmingų dujų, tokių kaip NO, išmetimą. Tuo pat metu tai pagerina temperatūros stabilumą ir užtikrina kontrolę viryklės viduje esančios aplinkos parametrams; tuo pačiu metu daugelyje pramoninių šildymo procesų reikalaujama izoliuoti detalių nuo degimo aplinkos. Visa tai reikalauja netiesioginio spinduliavimo šildymo.
