Supports/équerres/fixations en carbure de silicium (SiC) pour plaques à semi-conducteurs
CARACTÉRISTIQUES
Fiche technique KCE® SiSiC/RBSiC
Paramètres techniques | Unité | Valeur |
Teneur en carbure de silicium | % | 85 |
Teneur en silicium libre | % | 15 |
Masse volumique à 20°C | g/cm³ | ≥3.02 |
Porosité ouverte | Vol % | 0 |
Dureté HK | kg/mm² | 2600 |
Résistance à la flexion 20°C | MPa | 250 |
Résistance à la flexion 1200°C | MPa | 280 |
20 – 1000°C (Coefficient de dilatation thermique) | 10–6 K–1 | 4.5 |
Conductivité thermique 1000°C | W/m.k | 45 |
Statique 20°C (Module d'élasticité) | GPa | 330 |
Température de fonctionnement | °C | 1300 |
Temp. max. d'utilisation (air) | °C | 1380 |
Applications
adapté aux composants porteurs clés des équipements de diffusion pour cellules photovoltaïques.
Avantages
Les supports / supports / gabarits en carbure de silicium fritté par réaction possèdent une structure stable, une bonne performance de stabilité thermique du matériau, aucune déformation lors de l'utilisation à haute température et une longue durée de vie, résolvant ainsi efficacement le problème de la perte des composants porteurs sous forte charge dans les cellules photovoltaïques.
Les supports et bateaux en quartz couramment utilisés dans l'industrie photovoltaïque ont une durée de vie de 3 à 6 mois en raison de leur procédé de fabrication et des caractéristiques du matériau en quartz. Les supports et bateaux en carbure de silicium, qui remplacent le quartz, peuvent avoir une durée de vie supérieure à 5 ans, réduisant ainsi significativement les coûts d'utilisation et les pertes de capacité causées par la maintenance et les temps d'arrêt.